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IPP110N20N3GXKSA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOSFET管 OptiMOS 3系列, Vds=200 V, 88 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: IPP110N20N3GXKSA1
供应商: 国内现货
标准整包数: 500
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPP110N20N3GXKSA1

IPP110N20N3GXKSA1概述

    IPB107N20N3 G, IPP110N20N3 G 和 IPI110N20N3 G OptiMOSTM3 功率晶体管

    产品简介


    IPB107N20N3 G, IPP110N20N3 G 和 IPI110N20N3 G 是由Infineon Technologies AG生产的OptiMOSTM3系列功率晶体管。这些晶体管属于N沟道正常水平类型的场效应晶体管(FET),广泛应用于高频率开关和同步整流领域。这些产品提供了出色的性能参数,如低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力,使其适用于多种电子应用,例如电源转换、电机驱动和其他需要高效能晶体管的系统。

    技术参数


    - 主要电气特性
    - 最大漏源击穿电压:200 V
    - 栅源阈值电压:2 V 至 4 V
    - 零栅电压漏极电流:最大1 µA
    - 栅源漏电电流:最大100 nA
    - 导通电阻(RDS(on)):最大10.7 mΩ
    - 门阻抗:2.4 Ω
    - 输入电容:5340 pF 至 7100 pF
    - 输出电容:401 pF 至 533 pF
    - 反向传输电容:5 pF
    - 开关电荷:总栅电荷(Qg)最大87 nC
    - 最大额定值
    - 连续漏极电流(Tc=25°C):88 A
    - 脉冲漏极电流(Tc=25°C):352 A
    - 雪崩能量(单脉冲):560 mJ
    - 器件工作温度范围:-55°C 至 175°C
    - 功耗(Tc=25°C):300 W
    - 工作环境:Pb-free,RoHS符合标准,无卤素

    产品特点和优势


    这些晶体管的主要优势包括:
    - 优秀的栅电荷 x RDS(on) 产品(FOM)
    - 极低的导通电阻
    - 在175°C下稳定运行
    - 环保材料(无铅,RoHS符合标准)
    - 经过JEDEC认证,适用于目标应用

    应用案例和使用建议


    这些晶体管适用于高频率开关和同步整流电路,具体的应用案例可能包括电源转换器、逆变器和电池管理系统。为了确保最佳性能,建议在设计中考虑以下几点:
    - 使用合适的散热措施以避免热损坏。
    - 确保栅极驱动信号的正确性和稳定性。
    - 注意避免超过额定值的使用条件,特别是电流和电压。

    兼容性和支持


    这些晶体管采用标准封装(TO263, TO220, TO262),可以方便地与多种电子系统集成。Infineon Technologies提供全面的技术支持和售后服务,包括安装指南和故障排除文档。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定最佳工作温度?
    - 解决方案:参考产品手册中的最大工作温度范围(-55°C 至 175°C),并根据实际应用场景进行调整。

    - 问题:如何计算散热要求?
    - 解决方案:根据产品手册中的热阻参数(RthJC 和 RthJA)进行计算,确保系统能够有效散热。

    总结和推荐


    综上所述,IPB107N20N3 G, IPP110N20N3 G 和 IPI110N20N3 G 是高效的功率晶体管,适用于多种高频率和高功率密度的应用。其低导通电阻、高耐温能力和环保特性使其在市场上具有显著的竞争优势。强烈推荐在需要高性能晶体管的项目中使用这些产品。

IPP110N20N3GXKSA1参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 270µA
Id-连续漏极电流 88A
最大功率耗散 300W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 200V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7.1nF@100V
栅极电荷 87nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@ 88A,10V
通道数量 1
配置 独立式
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IPP110N20N3GXKSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPP110N20N3GXKSA1数据手册

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IPP110N20N3GXKSA1封装设计

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3000+ ¥ 14.16
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