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IRLML6402TRPBF-1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1.3W(Ta) 12V 1.2V@ 250µA 12nC@ 5 V 1个P沟道 20V 65mΩ@ 3.7A,4.5V 633pF@10V SOT-23 贴片安装
供应商型号: 448-IRLML6402TRPBF-1TR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRLML6402TRPBF-1

IRLML6402TRPBF-1概述

    # HEXFET Power MOSFET 技术手册解读

    产品简介


    HEXFET Power MOSFET 是一种高性能的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用 Micro3™ 封装(SOT-23)。这种器件广泛应用于开关电源、电机驱动、通信设备及汽车电子等领域。其核心功能是作为高效的开关元件,实现电能转换和控制,具有低导通电阻(RDS(on))、高击穿电压(V(BR)DSS)和快速开关速度等优势。

    技术参数


    以下是 HEXFET Power MOSFET 的关键技术规格:
    - VDS(漏源电压):-20V
    - ID(连续漏电流):-3.7A(TA = 25°C),-2.2A(TA = 70°C)
    - PD(功耗):1.3W(TA = 25°C),0.8W(TA = 70°C)
    - 热阻(RθJA):75℃/W 至 100℃/W
    - avalanche能量(EAS):11mJ
    - 反向恢复时间(trr):29ns 至 43ns
    - 输入电容(Ciss):633pF(VGS = 0V)
    - 输出电容(Coss):145pF(VDS = -10V)
    - 正向压降(VSD):-1.2V(TJ = 25°C)
    - 工作温度范围(TJ, TSTG):-55°C 至 +150°C
    此外,该器件具有标准的工业封装兼容性,可适配现有的表面贴装工艺,并符合 RoHS 和无卤化标准,满足环保要求。

    产品特点和优势


    1. 行业标准封装:SOT-23 封装设计确保了多供应商兼容性,简化生产流程。
    2. 环保友好:RoHS 合规性和无卤素特性使其成为绿色电子产品的理想选择。
    3. 卓越可靠性:通过 MSL1 工业级认证,提高了长期运行的可靠性。
    4. 易于制造:与现有制造技术兼容,降低了生产成本。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 开关电源:用于高效直流-直流转换器的开关元件。
    - 电机驱动:为电动机提供可靠的驱动信号。
    - 通信设备:支持高频率信号的开关操作。
    使用建议
    - 优化散热设计:结合良好的热管理措施,以提高器件寿命。
    - 合理布局电路板:减少寄生电感和电容的影响。
    - 遵循手册指导:严格按照推荐的焊接技术和引脚配置进行操作。

    兼容性和支持


    该产品与其他主流 SOT-23 封装的器件兼容,便于集成到现有系统中。制造商提供了详细的技术支持文档和售后服务,确保用户能够顺利部署和使用产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件发热严重。
    解决方案:检查散热片是否安装正确,必要时降低功耗。

    2. 问题:开关速度较慢。
    解决方案:优化驱动电路,增加门极电容值以提升开关性能。
    3. 问题:工作温度超出范围。
    解决方案:使用更宽温范围的产品型号或改进热管理系统。

    总结和推荐


    HEXFET Power MOSFET 是一款性能优异、可靠稳定的功率器件,适合多种工业应用场合。其紧凑的设计、出色的热管理和环保特性使其在市场上具备显著的竞争优势。对于需要高效能电能转换的应用场景,推荐选用此产品。

IRLML6402TRPBF-1参数

参数
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 1.3W(Ta)
FET类型 1个P沟道
栅极电荷 12nC@ 5 V
Vgs-栅源极电压 12V
Rds(On)-漏源导通电阻 65mΩ@ 3.7A,4.5V
Vds-漏源极击穿电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V@ 250µA
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 633pF@10V
通道数量 -
3.04mm(Max)
1.4mm(Max)
1.02mm(Max)
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

IRLML6402TRPBF-1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRLML6402TRPBF-1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRLML6402TRPBF-1 IRLML6402TRPBF-1数据手册

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