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BSO150N03MDGXUMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1.4W 16V 2V@ 250µA 17nC@ 10V 2个N沟道 30V 15mΩ@ 9.3A,10V 8A 1.3nF@15V SOP 贴片安装 4.9mm*3.9mm*1.75mm
供应商型号: UA-BSO150N03MDGXUMA1
供应商: 海外现货
标准整包数: 2500
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) BSO150N03MDGXUMA1

BSO150N03MDGXUMA1概述

    BSO150N03MD G OptiMOS™3 M-Series Power MOSFET

    1. 产品简介


    BSO150N03MD G OptiMOS™3 M-Series Power MOSFET 是一款高性能的双N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)。它特别适用于驱动电压为5V的应用场景,如笔记本电脑、VGA显示和电源管理(POL)。这款产品具有极低的导通电阻(RDS(on)),使得它非常适合用于高频率开关模式电源供应系统(SMPS)。

    2. 技术参数


    基本电气参数
    - 最大漏源电压 (VDS):30 V
    - 最大栅源电压 (VGS):±20 V
    - 最大持续漏电流 (ID):9.3 A (VGS=10 V, TA=25 °C)
    - 最大脉冲漏电流 (ID,pulse):9.3 A (TA=25 °C)
    - 导通电阻 (RDS(on)):15 mΩ (VGS=10 V);18.2 mΩ (VGS=4.5 V)
    - 最大热阻 (RthJS):50 K/W
    - 额定温度范围:-55 °C 至 150 °C
    动态电气参数
    - 输入电容 (Ciss):970-1300 pF
    - 输出电容 (Coss):340-450 pF
    - 反向转移电容 (Crss):20 pF
    - 开关电荷 (Qsw):2.6 nC

    3. 产品特点和优势


    独特功能
    - 适用于5V驱动应用:特别适合于笔记本电脑、VGA显示和电源管理等领域。
    - 低FOMSW:适用于高频SMPS系统。
    - 极低导通电阻:RDS(on) @ VGS=4.5 V 达到14.6-18.2 mΩ。
    - 高可靠性:100%雪崩测试合格。
    市场竞争力
    - 优秀的栅电荷xRDS(on) 乘积(FOM):表明其在高速开关应用中的优越性能。
    - 绿色环保:无铅电镀,符合RoHS标准,无卤素。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 笔记本电脑:利用其低功耗特性提高电池寿命。
    - VGA显示器:实现高效能视频信号处理。
    - 电源管理(POL):适用于各种高性能电源管理系统。
    使用建议
    - 考虑散热设计:尽管具有较低的热阻,仍需确保良好的散热条件以保持正常工作。
    - 正确选择栅极电阻 (RG):推荐值在0.5至1.9 Ω之间,以优化开关速度和功耗。
    - 在高频应用中,需注意电容 (Coss) 和电荷 (Qsw) 的影响,以避免寄生振荡。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该器件采用PG-DSO-8封装,易于与其他电路板集成。
    - 支持:Infineon Technologies 提供详尽的技术支持文档和在线资源,确保用户能够快速上手和使用。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 散热不足导致器件过热:
    - 解决方案:优化PCB布局,增加散热片,或者使用热管散热。
    2. 开关损耗过高:
    - 解决方案:优化栅极电阻 (RG) 设置,选择合适的驱动电路以减少开关损耗。
    3. 噪声干扰问题:
    - 解决方案:添加滤波电容,确保电路板上的去耦电容正确布置。

    7. 总结和推荐


    综合评估
    - 优点:优秀的高频性能,低导通电阻,环保材料,绿色生产流程。
    - 缺点:较高成本,需要一定的技术支持和散热设计。
    推荐
    - 推荐在需要高性能和可靠性的应用中使用 BSO150N03MD G OptiMOS™3 M-Series Power MOSFET,特别是在笔记本电脑、VGA显示和电源管理等场景中。然而,在设计初期需要仔细考虑散热设计以确保最佳性能。

BSO150N03MDGXUMA1参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.3nF@15V
FET类型 2个N沟道
Vgs-栅源极电压 16V
最大功率耗散 1.4W
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 8A
配置
通道数量 2
栅极电荷 17nC@ 10V
Rds(On)-漏源导通电阻 15mΩ@ 9.3A,10V
长*宽*高 4.9mm*3.9mm*1.75mm
通用封装 SOP
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

BSO150N03MDGXUMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BSO150N03MDGXUMA1数据手册

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BSO150N03MDGXUMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ $ 0.365 ¥ 3.0587
5000+ $ 0.3475 ¥ 2.9121
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起订量: 2500 增量: 2500
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