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BSZ076N06NS3G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2.1W 20V 3V 37nC@ 10V 1个N沟道 60V 7.6mΩ@ 10V 20A 3nF@ 30V SON 贴片安装,黏合安装 3.3mm*3.3mm*1.1mm
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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) BSZ076N06NS3G

BSZ076N06NS3G概述


    产品简介


    BSZ076N06NS3 G OptiMOSTM3 Power Transistor
    BSZ076N06NS3 G 是一款采用 OptiMOSTM3 技术的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该产品主要用于高频率开关应用及同步整流。它具有低导通电阻(RDS(on))和优良的栅极电荷乘积(FOM),使其成为直流-直流转换器的理想选择。此器件通过100%雪崩测试,符合RoHS标准且无卤素,适用于多种目标应用场合。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 连续漏极电流:ID(VGS=10V,TC=25°C)为20A;在100°C下保持20A。
    - 脉冲漏极电流:ID,pulse(TC=25°C)为80A。
    - 击穿电压:VDS=60V。
    - 栅源电压:VGS=±20V。
    - 热阻:RthJA=50K/W时PDtot(TC=25°C)为69W。
    - 工作和存储温度范围:Tj和Tstg为-55°C到150°C。
    - 电气特性
    - 导通电阻:RDS(on)(VGS=10V,ID=20A)为6.1mΩ至7.6mΩ。
    - 输入电容:CISS(典型值)为3000至4000pF。
    - 输出电容:COSS(典型值)为660至880pF。
    - 反向传输电容:CRSS(典型值)为24pF。

    - 动态特性
    - 开启延时时间:td(on)≤15ns。
    - 关闭延时时间:td(off)≤20ns。
    - 栅极电荷特性:Qgs(典型值)为15nC。

    产品特点和优势


    - 高频率开关能力:BSZ076N06NS3 G 非常适合用于高频开关和同步整流。
    - 优化技术:特别优化用于直流-直流转换器的应用。
    - 低导通电阻:RDS(on) 的典型值仅为6.1mΩ至7.6mΩ,大大降低了损耗。
    - 良好的FOM(品质因数):优秀的栅极电荷乘积,有助于提高效率。
    - 增强的安全性:100% 雪崩测试确保可靠性和耐用性。
    - 环保合规性:无铅镀层,符合RoHS标准,不含卤素,符合IEC61249-2-21规范。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 直流-直流转换器
    - 电源管理系统
    - 电机驱动
    - 高频逆变器
    使用建议
    - 在设计中考虑 PCB 布局以优化散热。
    - 结合适当的热管理措施,例如使用大面积铜箔或强制风冷,以提升其在高温下的性能。
    - 为了提高效率,在高频率应用中使用低栅极电荷 MOSFET。
    - 在高功率应用中,注意使用合适尺寸的 PCB 和散热器以防止过热。

    兼容性和支持


    - 该产品与多数主流的 PCB 设计兼容。
    - 厂商提供详细的技术支持文档和售后服务。
    - 推荐与具有相同或相似技术特性的产品一起使用,以确保最佳效果。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何防止过热?
    - A: 选择合适尺寸的散热器并采用高效能的热管理策略。

    - Q: 为什么栅极电荷很高?
    - A: 这是由于器件本身的物理特性决定的,可通过外部电路优化降低瞬态应力。

    - Q: 如何判断该器件是否适合我的应用?
    - A: 查阅产品手册中的详细参数和应用案例,确认其符合您的系统需求。

    总结和推荐


    综合评估
    BSZ076N06NS3 G OptiMOSTM3 功率 MOSFET 在众多应用中表现出色,特别是在高频开关和同步整流方面。它的低导通电阻和优化技术使得其成为各种电源管理系统的理想选择。此外,其优越的可靠性及环保特性也为使用者提供了额外的价值。
    推荐结论
    强烈推荐该产品用于需要高性能和高效能的电源管理和电机控制系统中。对于追求高效率、低损耗和高可靠性的设计者来说,这是一个非常值得考虑的选择。

BSZ076N06NS3G参数

参数
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 37nC@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 2.1W
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 7.6mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 20A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3nF@ 30V
通道数量 1
长*宽*高 3.3mm*3.3mm*1.1mm
通用封装 SON
安装方式 贴片安装,黏合安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

BSZ076N06NS3G厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BSZ076N06NS3G数据手册

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BSZ076N06NS3G封装设计

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