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IPD50N04S308ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 68W(Tc) 20V 4V@ 40µA 35nC@ 10 V 1个N沟道 40V 7.5mΩ@ 50A,10V 50A 2.35nF@25V TO-252 贴片安装
供应商型号: AV-E-IPD50N04S308ATMA1
供应商: Avnet
标准整包数: 2500
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPD50N04S308ATMA1

IPD50N04S308ATMA1概述

    # IPD50N04S3-08 OptiMOS®-T 功率晶体管技术手册

    产品简介


    基本介绍
    IPD50N04S3-08 是 Infineon Technologies 推出的一款基于 OptiMOS®-T 技术的 N 沟道增强型功率晶体管。这款产品广泛应用于汽车电子、工业控制及消费电子等领域,尤其适合需要高可靠性和高性能的应用场景。
    主要功能
    - N 沟道增强型结构:支持开关和线性操作模式。
    - 汽车级认证:符合 AEC-Q101 标准,适用于严苛的汽车环境。
    - 高温性能:可在 -55°C 至 +175°C 的温度范围内稳定运行。
    - 环保设计:符合 RoHS 标准,无卤化物设计。
    应用领域
    - 汽车电子(如车身控制模块、电机驱动)
    - 工业控制(如逆变器、开关电源)
    - 消费电子(如便携式设备)

    技术参数


    以下是 IPD50N04S3-08 的关键技术参数:
    | 参数名称 | 符号 | 条件 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | 漏极连续电流 | ID | TC=25°C, VGS=10V | A | - | 50 | 49 |
    | 脉冲漏极电流 | ID,pulse | TC=25°C | A | - | - | 200 |
    | 击穿电压 | V(BR)DSS | VGS=0V, ID=1mA | V | 40 | - | - |
    | 栅源泄漏电流 | IGSS | VGS=20V, VDS=0V | nA | - | - | 100 |
    | 开启电阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=50A | mΩ | - | 5.9 | 7.5 |
    | 热阻抗 | RthJC | - | K/W | - | 2.2 | - |

    产品特点和优势


    独特功能
    - 汽车级认证:通过 AEC-Q101 认证,确保在极端环境下具有出色的可靠性。
    - 宽温域支持:能够在 -55°C 至 +175°C 的温度范围内正常工作,适应多种恶劣环境。
    - 高击穿电压:最大漏源击穿电压为 40V,适用于高电压应用场合。
    - 低导通电阻:典型值仅为 5.9mΩ,有助于降低功耗并提高效率。
    市场竞争力
    - 优越的热管理能力:RthJC=2.2K/W 的低热阻设计显著提升了散热性能。
    - 环保合规:RoHS 合规和绿色包装设计满足全球环保要求。
    - 高质量保证:100% 冲击测试通过,确保每颗器件均达到最佳品质。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 汽车车身控制模块:作为主控开关使用,处理高电流负载。
    2. 工业逆变器:利用其快速开关特性和低导通电阻实现高效能逆变操作。
    3. 电源管理:集成于高频开关电源中,提升系统整体效率。
    使用建议
    - 在高频开关电路中,需注意电路板设计以降低寄生电感的影响。
    - 配合适当的栅极驱动器使用,避免过压或欠压现象。
    - 系统级测试时,应充分考虑环境温度变化对器件性能的影响。

    兼容性和支持


    兼容性
    IPD50N04S3-08 可与大多数标准 PCB 设计兼容,支持主流封装形式。此外,该器件与同类产品具有良好的互换性,便于升级或替换现有设计。
    支持服务
    Infineon 提供全面的技术支持,包括设计指南、应用笔记以及详细的仿真模型下载。如有疑问,请联系当地 Infineon 办事处获取帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高导致失效 | 增加外部散热片,改善系统散热设计 |
    | 导通电阻异常增大 | 检查栅极驱动信号是否满足要求 |
    | 击穿电压不足 | 确认实际工作电压不超过额定值 |

    总结和推荐


    综合评估
    IPD50N04S3-08 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道增强型功率晶体管。其卓越的热管理能力、宽温域支持以及低导通电阻使其成为许多应用场景的理想选择。特别是对于需要高可靠性、高性能的产品,如汽车电子和工业控制设备,该产品无疑是一个优秀的选择。
    推荐结论
    强烈推荐使用 IPD50N04S3-08 作为关键组件,尤其是在需要长寿命、高效率和强环境适应性的场景中。同时,建议结合官方提供的设计指南和应用笔记,确保最佳性能表现。

IPD50N04S308ATMA1参数

参数
Id-连续漏极电流 50A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.35nF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 7.5mΩ@ 50A,10V
栅极电荷 35nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 68W(Tc)
FET类型 1个N沟道
配置 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 40µA
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
包装方式 散装,卷带包装

IPD50N04S308ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPD50N04S308ATMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPD50N04S308ATMA1 IPD50N04S308ATMA1数据手册

IPD50N04S308ATMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ $ 0.7188 ¥ 6.2531
7500+ $ 0.713 ¥ 6.2031
25000+ $ 0.7073 ¥ 6.1531
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起订量: 2500 增量: 2500
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