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IRFU220NPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 43W(Tc) 20V 4V@ 250µA 23nC@ 10 V 1个N沟道 200V 600mΩ@ 2.9A,10V 5A 300pF@25V IPAK,TO-251AA 通孔安装 6.6mm*2.3mm*8.5mm
供应商型号: IRFU220NPBF
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFU220NPBF

IRFU220NPBF概述


    产品简介


    IRFR220NPbF 是一款由 International Rectifier(现为 Infineon Technologies 的一部分)推出的高性能功率 MOSFET 器件,属于 HEXFET 系列。这款电子元器件专为高频直流-直流转换器设计,提供出色的开关性能和效率优化。IRFR220NPbF 具有较低的门极到漏极电荷,能够显著降低开关损耗,同时具备全面表征的电容特性,使设计更加简化。
    主要功能包括高频率运行能力、低导通电阻(RDS(on)),以及优异的动态和静态特性。这款器件广泛应用于电信设备(如 48V 输入的前向转换器)、电源管理系统以及其他需要高效能转换的领域。

    技术参数


    以下是 IRFR220NPbF 的关键技术规格:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压 (VDS) | 200 V |
    | 导通电阻 (RDS(on)) 600 mΩ |
    | 连续漏极电流 (ID) 5.0A
    | 脉冲漏极电流 (IDM) 20 | A |
    | 额定功率 (PD) 43 | W |
    | 栅极-源极电压 (VGS) | ±20 V |
    | 栅极电荷 (Qg) 15~23 nC |
    | 高频响应 (f) 1MHz
    其他关键指标包括:
    - 集电极-发射极间漏电流 (IDSS):最大 100μA
    - 反向恢复时间 (trr):90~140ns
    - 热阻抗:RθJC = 3.5°C/W,RθJA = 50°C/W(PCB安装)
    - 工作温度范围:-55°C 至 +175°C

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷:通过减少开关损耗来提高整体效率。
    2. 精确的电容特性:包括有效的 COSS 参数,简化设计流程并确保稳定性。
    3. 卓越的雪崩性能:单脉冲雪崩能量高达 46mJ,重复雪崩能量达 4.3mJ。
    4. 宽广的工作温度范围:适合极端环境下的工业和汽车应用。
    5. 快速开关性能:得益于其低栅极电荷和优化的开关时序。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IRFR220NPbF 常用于以下场景:
    - 电信基础设施:如 48V 输入的前向转换器,处理大电流传输需求。
    - 高效率电源系统:适用于服务器、网络设备及医疗设备中的电源模块。
    - 便携式设备:电池供电设备需要高能效和紧凑的设计。
    使用建议
    1. 在高频转换器中选择合适的栅极驱动电路以匹配器件的开关速度。
    2. 确保良好的散热管理,特别是在高温环境中使用时。
    3. 遵循推荐的 PCB 布局和焊接工艺(参考应用笔记 AN-994)以获得最佳性能。

    兼容性和支持


    IRFR220NPbF 支持多种标准封装形式(如 D-Pak 和 I-Pak),并且与大多数通用驱动器兼容。Infineon 提供全面的技术支持和文档资源,包括应用指南、热设计参考和故障排查手册。客户可以通过官方网站获取最新版本的产品数据手册和技术更新。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关损耗过高 | 减少栅极电荷,优化驱动电路设计 |
    | 散热不足导致性能下降 | 使用更大面积的散热片或增强气流 |
    | 逆向恢复问题 | 选择具有低反向恢复特性的二极管组件 |

    总结和推荐


    IRFR220NPbF 是一款功能强大且可靠性高的功率 MOSFET,适用于各种高要求的电力电子应用。其低导通电阻、高效的开关性能和出色的雪崩耐受能力使其在市场上极具竞争力。我们强烈推荐此产品给对能效和性能有较高要求的设计师。
    总体而言,IRFR220NPbF 是一款值得信赖的产品,能够满足现代电力电子领域的多样化需求。如果您正在寻找一款性能卓越、易于集成的功率器件,那么这款产品将是您的理想选择。

IRFU220NPBF参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 600mΩ@ 2.9A,10V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 5A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 300pF@25V
最大功率耗散 43W(Tc)
栅极电荷 23nC@ 10 V
长*宽*高 6.6mm*2.3mm*8.5mm
通用封装 IPAK,TO-251AA
安装方式 通孔安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 管装

IRFU220NPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFU220NPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFU220NPBF IRFU220NPBF数据手册

IRFU220NPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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1000+ ¥ 1.475
5000+ ¥ 1.4375
10000+ ¥ 1.4125
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