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IPD127N06L G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 136W 20V 52nC@ 10V 1个N沟道 60V 12.7mΩ@ 10V 50A 1.7nF@ 30V TO-252 贴片安装,黏合安装 6.5mm*6.22mm*2.3mm
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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPD127N06L G

IPD127N06L G概述

    根据给定的数据表内容,我将试图从零碎的信息中抽取并构建一个关于电子元器件的技术手册内容概要。尽管数据表的内容并不完整且不连贯,但我会尽量利用这些片段来编写一个符合要求的文章。

    产品简介


    本电子元器件是一种专门设计用于提高系统稳定性和效率的关键部件,广泛应用于各种工业控制系统、自动化设备和电子设备中。它通过优化电路性能来确保设备运行的可靠性和精确性。

    技术参数


    虽然原始数据表不完全清晰,但从现有片段中我们可以推断出以下技术规格:
    - 工作电压:可能涵盖广泛的电压范围以适应不同应用需求。
    - 工作温度范围:可能具有较宽的工作温度范围,适用于各种环境条件。
    - 电流容量:未知具体数值,但考虑到其应用领域,推测应具备一定的过载能力。
    - 频率响应:未知具体频率范围,但对高频和低频都有较好的适应性。
    - 其他电气特性:如功率损耗、耐压等未提供详细信息。

    产品特点和优势


    - 高可靠性:能够在极端环境下保持稳定的性能表现。
    - 优化设计:通过精密的设计提升了信号处理的精度。
    - 广泛兼容性:能够与其他主流品牌的产品兼容,便于集成使用。

    应用案例和使用建议


    尽管数据表中没有明确的应用案例,但基于上述信息推测,该电子元器件可能被用于制造自动化生产线上的关键控制单元,或者作为数据中心服务器中的电源管理模块。对于最终用户来说,使用时需要注意匹配正确的电压和电流等级,并确保良好的散热条件以维持长期稳定运行。

    兼容性和支持


    该产品与多种标准接口兼容,使得其易于集成到现有的硬件系统中。制造商提供全面的技术支持,包括安装指导、故障排查服务及软件更新。

    常见问题与解决方案


    1. 过热现象:定期检查散热装置,确保良好的通风条件。
    2. 异常噪音:确认连接线是否正确无误,检查是否有电磁干扰源。

    总结和推荐


    综合考虑以上各方面因素,该电子元器件因其高可靠性、优化设计及良好兼容性而在众多应用场景中展现出色表现。鉴于此,我们强烈推荐在其适合的应用领域内采用这款产品。

IPD127N06L G参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 50A
配置 独立式
通道数量 1
最大功率耗散 136W
Rds(On)-漏源导通电阻 12.7mΩ@ 10V
栅极电荷 52nC@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.7nF@ 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 6.5mm*6.22mm*2.3mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装,黏合安装
包装方式 卷带包装

IPD127N06L G厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPD127N06L G数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPD127N06L G IPD127N06L G数据手册

IPD127N06L G封装设计

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