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IPD60N10S4L12ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS系列, Vds=100 V, 60 A, TO-252封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 10B-2725850-4
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPD60N10S4L12ATMA1

IPD60N10S4L12ATMA1概述

    # IPD60N10S4L-12 OptiMOSTM-T2 Power Transistor

    产品简介


    IPD60N10S4L-12 是一款来自Infineon Technologies的OptiMOSTM-T2系列功率晶体管。该器件采用N沟道增强型结构,具有优异的电气性能和稳定性。它主要应用于汽车电子系统、工业自动化设备、电源转换及驱动电路等领域。由于其卓越的性能和可靠性,IPD60N10S4L-12在这些领域中得到了广泛应用。

    技术参数


    以下是IPD60N10S4L-12的关键技术参数和性能指标:
    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 连续漏极电流 | ID| TC=25°C, VGS=10V | - | 60 | - | A |
    | 热阻 - 结到壳 | RthJC | - | - | 1.6 | - | K/W |
    | 热阻 - 结到环境(带引脚) | RthJA | - | - | 62 | - | K/W |
    | 击穿电压 - 漏源 | V(BR)DSS | VGS=0V, ID=1mA | 100 | - | - | V |
    | 门限电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=46μA | 1.1 | 1.6 | 2.1 | V |
    | 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=100V, VGS=0V | - | 0.01 | 1 | μA |
    | 栅极泄漏电流 | IGSS | VGS=20V, VDS=0V | - | - | 100 | nA |
    | 导通电阻 | RDS(on) | VGS=4.5V, ID=30A | - | 12.3 | 15 | mΩ |
    | 输入电容 | Ciss | - | - | 2440 | 3170 | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | 824 | 1070 | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | - | 77 | 155 | pF |

    产品特点和优势


    IPD60N10S4L-12的主要特点和优势如下:
    1. 高可靠性:AEC-Q101认证,满足汽车级标准。
    2. 高温性能:MSL1等级,最高可承受260°C峰值回流温度;可在175°C高温下连续工作。
    3. 环保设计:符合RoHS标准,绿色产品,无有害物质。
    4. 高能效:单脉冲雪崩能量高达120mJ,适用于高瞬态电流应用。
    5. 宽工作范围:-55°C到+175°C的工作温度范围,适应恶劣环境。
    6. 低导通电阻:典型值为12.3mΩ(VGS=4.5V, ID=30A),保证高效转换效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IPD60N10S4L-12广泛应用于汽车电子、电机驱动、DC-DC转换器和电源管理等领域。例如,在电动汽车的电池管理系统中,它可以作为高压开关管,用于保护和控制电池单元之间的连接。
    使用建议
    1. 散热设计:考虑到其较高的工作温度,应确保良好的散热设计,如使用散热片或风扇来降低器件温度。
    2. 过压保护:在使用过程中,注意过电压情况的发生,可添加适当的保护电路,以防止击穿电压。
    3. 电路布局:合理的PCB布局有助于减少寄生电感和电容的影响,提高系统的稳定性和可靠性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与多种标准封装兼容,适用于各种不同的应用场合。
    - 支持和服务:Infineon Technologies提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的安装指南和技术文档,帮助客户快速集成并优化产品性能。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何正确处理热问题?
    - 答:建议采用散热片和风扇等方式增强散热效果,确保器件处于安全的工作温度范围内。
    2. 问:在高电流条件下,器件是否会烧毁?
    - 答:IPD60N10S4L-12具备出色的耐电流能力,最大脉冲电流可达240A。但是,为了防止过热,建议使用散热措施。
    3. 问:如何判断器件是否出现故障?
    - 答:可以通过测量导通电阻RDS(on)、漏电流等参数来检查器件状态。如果发现异常,则可能需要更换器件。

    总结和推荐


    IPD60N10S4L-12 以其高可靠性和卓越性能,在汽车电子、工业自动化等多个领域展现了巨大的潜力。其宽泛的工作温度范围、优秀的散热能力和高效的电性能使其成为各类应用的理想选择。强烈推荐给需要高性能功率晶体管的应用开发工程师和系统集成商。

IPD60N10S4L12ATMA1参数

参数
配置 独立式
最大功率耗散 94W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 100V
栅极电荷 49nC@ 10 V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@ 60A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.17nF@25V
Vgs-栅源极电压 16V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V@ 46µA
Id-连续漏极电流 60A
长*宽*高 6.5mm*6.22mm*2.3mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IPD60N10S4L12ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPD60N10S4L12ATMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPD60N10S4L12ATMA1 IPD60N10S4L12ATMA1数据手册

IPD60N10S4L12ATMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 9.9689
50+ ¥ 8.5767
100+ ¥ 7.1721
175+ ¥ 6.8852
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