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IPI111N15N3 G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1个N沟道 150V TO-262-3 通孔安装 10.2mm*4.5mm*9.45mm
供应商型号: 726-IPI111N15N3G
供应商: Mouser
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPI111N15N3 G

IPI111N15N3 G概述

    电子元器件技术手册:IPB108N15N3 G IPP111N15N3 G IPI111N15N3 G

    1. 产品简介


    IPB108N15N3 G、IPP111N15N3 G 和 IPI111N15N3 G 是Infineon Technologies公司生产的OptiMOSTM3功率晶体管,属于N沟道增强型晶体管。这些器件主要应用于高频开关和同步整流场合。它们具有高效率和可靠性,特别适合于电源管理、电动车辆驱动、可再生能源系统等领域。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源击穿电压 \( V{(BR)DSS} \): 150V
    - 连续漏极电流 \( ID \): 83A (Tc=25°C)
    - 脉冲漏极电流 \( I{D,pulse} \): 332A
    - 击穿能量 \( E{AS} \): 330mJ
    - 最大功耗 \( P{tot} \): 214W (Tc=25°C)
    - 工作温度范围: -55°C ~ 175°C
    - 电气特性
    - 门限电压 \( V{GS(th)} \): 2V~4V
    - 开启状态下漏源电阻 \( R{DS(on)} \):
    - TO220; TO262: 9.4mΩ~11.1mΩ (VGS=10V, ID=83A)
    - TO263: 9.1mΩ~10.8mΩ (VGS=10V, ID=83A)
    - 输入电容 \( C{ISS} \): 3230pF
    - 输出电容 \( C{OSS} \): 378pF
    - 反向传输电容 \( C{RSS} \): 7pF
    - 热特性
    - 结点到外壳热阻 \( R{thJC} \): 0.7K/W
    - 结点到环境热阻 \( R{thJA} \): 最小安装面积下为62K/W (最小铜面积6cm²)

    3. 产品特点和优势


    - 优秀的FOM指标:\( FOM = Q{g} \times R{DS(on)} \),使得这些晶体管在高频应用中表现出色。
    - 低导通电阻:漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \) 小于10.8mΩ,确保高效的电力转换。
    - 宽工作温度范围:能够在-55°C至175°C范围内稳定运行。
    - 无铅镀层:符合RoHS标准和无卤素要求,环保安全。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景:这些晶体管广泛应用于电源转换电路、逆变器和电动车辆驱动系统中。
    - 使用建议:
    - 在高频开关应用中,应确保良好的散热措施以维持低热阻。
    - 使用时需注意避免超过最大额定值,特别是在高脉冲电流条件下。
    - 针对不同封装类型(TO263、TO220-3、TO262-3),请根据实际应用场景选择合适的封装。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:这些晶体管适用于大多数标准电路板和模块设计。
    - 技术支持:Infineon Technologies提供详尽的技术文档和支持服务,帮助用户正确使用和维护产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:功耗过高导致过热
    - 解决方案:增加散热器或改进散热设计,确保良好的热管理系统。
    - 问题2:开关过程中出现过度振荡
    - 解决方案:适当调整门极电阻和滤波电路,减少不必要的振荡。
    - 问题3:门限电压不一致
    - 解决方案:检查焊接质量,确保良好的电气连接。

    7. 总结和推荐


    这些Infineon Technologies公司的OptiMOSTM3功率晶体管以其优异的性能和稳定性,在多个领域有着广泛应用。无论是对于追求高效能还是高可靠性的工程师来说,都是值得信赖的选择。总体来看,推荐使用这些晶体管,尤其是当需要高性能和稳定的功率转换时。

IPI111N15N3 G参数

参数
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 150V
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
长*宽*高 10.2mm*4.5mm*9.45mm
通用封装 TO-262-3
安装方式 通孔安装

IPI111N15N3 G厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPI111N15N3 G数据手册

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IPI111N15N3 G封装设计

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