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IRF7201

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2.5W(Tc) 20V 1V@ 250µA 28nC@ 10 V 1个N沟道 30V 30mΩ@ 7.3A,10V 550pF@25V SOIC-8 贴片安装
供应商型号: IRF7201-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF7201

IRF7201概述

    IRF7201 HEXFET® Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IRF7201是一款第五代HEXFET®功率MOSFET,由International Rectifier制造。它采用先进的加工技术来实现极低的单位硅面积导通电阻(on-resistance)。这使得HEXFET®功率MOSFET以高速开关和坚固耐用的设计著称。这种器件为设计者提供了一个高效且可靠的解决方案,适用于各种电源应用。IRF7201采用表面贴装SO-8封装,具备动态dv/dt评级和快速开关能力,是N沟道MOSFET的一种。

    2. 技术参数


    - 电压等级:
    - 漏-源电压(VDS): 30 V
    - 门-源电压(VGS): ±20 V
    - 单脉冲门-源电压(VGSM): 30 V
    - 雪崩耐受能力: 70 mJ
    - 反向恢复峰值dv/dt: 5.0 V/ns
    - 电流等级:
    - 连续漏电流(ID @ TC = 25°C): 7.3 A
    - 连续漏电流(ID @ TC = 70°C): 5.8 A
    - 脉冲漏电流(IDM): 58 A
    - 功率和热管理:
    - 最大功率耗散(PD @ TC = 25°C): 2.5 W
    - 最大功率耗散(PD @ TC = 70°C): 1.6 W
    - 线性降额因子: 0.02 W/°C
    - 最大结到环境热阻(RqJA): 50 °C/W
    - 其他参数:
    - 结温和存储温度范围(TJ, TSTG): -55°C 至 +150°C
    - 输入电容(Ciss): 550 pF
    - 输出电容(Coss): 260 pF
    - 反转传输电容(Crss): 100 pF

    3. 产品特点和优势


    IRF7201的主要特点和优势包括:
    - 极低的导通电阻(RDS(on)): 仅0.030Ω,确保了高效能转换。
    - 快速开关能力: 有助于减少功耗和提高效率。
    - 增强的热特性: 通过定制引线框架实现了更好的散热性能。
    - 多芯片能力: 多个IRF7201可以共用相同的板空间,提高了设计灵活性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 电池管理系统: 用于电动汽车或混合动力汽车中的电池管理,利用其高电流处理能力和可靠性。
    - 服务器电源: 在数据中心环境中,由于其高效的能源转换和低热量产生,IRF7201可降低能耗和冷却成本。
    - 使用建议:
    - 电路设计优化: 在设计中考虑使用多个IRF7201并联以分摊电流,从而提高整体可靠性。
    - 散热管理: 在高温环境下使用时,确保良好的散热措施,以避免过热和性能下降。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: IRF7201的表面贴装SO-8封装使其容易集成到多种电路板设计中。其快速开关特性和低导通电阻使其适用于大多数现有的电源电路设计。
    - 支持: International Rectifier提供了详尽的技术支持文档和在线资源,帮助设计师快速了解并有效利用该器件。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: IRF7201在高频下工作时,出现过热现象。
    - 解决方案: 使用适当的散热片或热管进行散热,确保足够的散热面积和有效的热传导路径。
    - 问题: 在脉冲操作中,器件的温度迅速上升。
    - 解决方案: 设计合适的脉冲宽度和占空比,或者增加散热装置以加快热量散发。

    7. 总结和推荐


    总结: IRF7201凭借其极低的导通电阻、快速开关速度和增强的热管理能力,在各种电源应用中表现出色。其多功能性使它成为一种值得信赖的选择,特别是在需要高可靠性和高效率的应用场合。
    推荐: 推荐设计者使用IRF7201,尤其是在电池管理和服务器电源等领域。尽管初始设计可能需要一定的投入,但长期来看,它的高效率和可靠性将带来显著的成本节约和技术优势。

IRF7201参数

参数
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 2.5W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 28nC@ 10 V
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@ 7.3A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 550pF@25V
5mm(Max)
4mm(Max)
1.5mm(Max)
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRF7201厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF7201数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRF7201 IRF7201数据手册

IRF7201封装设计

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