处理中...

首页  >  产品百科  >  IRFTS9342TRPBF

IRFTS9342TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 5.8 A, TSOP-6封装, 表面贴装, 6引脚
供应商型号: 14M-IRFTS9342TRPBF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFTS9342TRPBF

IRFTS9342TRPBF概述


    产品简介


    产品名称: IRFTS9342PbF
    产品类型: HEXFET® 功率 MOSFET
    主要功能: 该产品适用于电池驱动的直流电机逆变器和系统/负载开关。
    应用领域: 主要应用于电池供电的设备、电源转换、电动工具和其他需要高效能开关的场合。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | VDS | -30 | V |
    | VGS(max) | ±20 | V |
    | RDS(on) (max) | 40(@VGS=-10V)
    66(@VGS=-4.5V) | mΩ |
    | Qg(typ) | 12 | nC |
    | ID (max) | -5.8 | A |
    绝对最大额定值:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | VDS | -30 | V |
    | VGS | ±20 | V |
    | ID (@TA=25°C) | -5.8 | A |
    | ID (@TA=70°C) | -4.6 | A |
    | IDM | -4.6 | A |
    | PD (@TA=25°C) | 2.0 | W |
    | PD (@TA=70°C) | 1.3 | W |
    | 热阻抗 RθJA | - | 62.5 | °C/W |

    产品特点和优势


    1. 行业标准封装(TSOP-6): 提供多供应商兼容性,方便设计者选择和替换。
    2. 无铅、无溴化物、无卤素(RoHS合规): 符合环保要求。
    3. 消费者级认证(MSL1): 提高了可靠性。
    4. 温度系数低: 减少温漂影响,提高稳定性。
    5. 低栅极电荷(Qg): 降低功耗,提高效率。
    6. 出色的电流能力和快速开关时间: 适合高频应用。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 电池驱动的直流电机逆变器: 可以实现高效的电力转换。
    - 系统/负载开关: 在需要高可靠性的开关电路中表现出色。
    使用建议:
    - 安装建议: 当安装在1平方英寸的铜板上时,热阻抗可以得到显著改善。
    - 电压范围限制: 最大漏源电压为-30V,需注意保护电路免受过压损坏。
    - 散热管理: 为了确保最佳性能和延长使用寿命,需要适当散热措施。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品具有广泛的多供应商兼容性,方便集成到不同的设计中。
    - 支持信息: 国际整流器公司在其网站上提供了详细的技术支持和服务信息,用户可以通过官网获得进一步的支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 如何测试栅极电荷?
    - 解决方案: 参考第17a页的测试电路图,按照测试步骤进行。

    2. 问题: 高频应用下如何减少电磁干扰(EMI)?
    - 解决方案: 使用合适布局和去耦电容,同时考虑外部元件的匹配问题。
    3. 问题: 漏源导通电阻(RDS(on))随温度变化大怎么办?
    - 解决方案: 可以通过优化散热设计来减小温漂的影响,例如增加散热片或者采用主动冷却方式。

    总结和推荐


    综合评估:
    IRFTS9342PbF 是一款高性能、低功耗的功率 MOSFET,广泛适用于电池驱动的设备及各种开关应用。其卓越的性能和可靠的多供应商兼容性使其在市场上具有很强的竞争力。此外,它的低温漂特性和出色的电气性能使其非常适合高温环境下的应用。
    推荐结论:
    强烈推荐 IRFTS9342PbF 给需要高性能、高可靠性的应用领域,特别是在电池供电的设备和电力转换中。对于追求高效能、高稳定性的设计者来说,这是一款非常理想的选择。

IRFTS9342TRPBF参数

参数
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 595pF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.4V@ 25µA
Rds(On)-漏源导通电阻 40mΩ@ 5.8A,10V
配置 独立式quaddrain
Id-连续漏极电流 5.8A
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 2W(Ta)
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 12nC@ 10 V
3mm(Max)
1.75mm(Max)
1.45mm(Max)
通用封装 TSOP-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IRFTS9342TRPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFTS9342TRPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFTS9342TRPBF IRFTS9342TRPBF数据手册

IRFTS9342TRPBF封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 1.1173
10+ ¥ 1.0987
30+ ¥ 0.869
100+ ¥ 0.7325
300+ ¥ 0.6704
3000+ ¥ 0.6207
库存: 8991
起订量: 1 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 1.11
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0