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JANTX2N6796

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 25W 20V 4V 28.5nC 100V 195mΩ 650pF 通孔安装
供应商型号: JANTX2N6796
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) JANTX2N6796

JANTX2N6796概述

    电子元器件产品技术手册



    产品简介



    本文介绍的产品是来自International Rectifier HiRel系列的IRFF130 JANTX2N6796/JANTXV2N6796 N-Channel MOSFET晶体管。这款器件采用了HEXFET®技术,提供了卓越的性能和可靠性。它广泛应用于开关电源、电机控制、逆变器、斩波器、音频放大器和高能脉冲电路等领域。


    技术参数



    以下是IRFF130 JANTX2N6796/JANTXV2N6796的技术参数:

    - 电气特性
    - BVDSS(击穿电压):100V
    - RDS(on)(导通电阻):0.18Ω @ VGS = 10V, ID2 = 5.0A;0.195Ω @ VGS = 10V, ID1 = 8.0A
    - VGS(th)(栅极阈值电压):2.0 ~ 4.0V
    - Gfs(正向跨导):3.0S @ VDS = 15V, ID2 = 5.0A
    - IS(连续源电流):8.0A
    - ISM(脉冲源电流):32A
    - EAS(单脉冲雪崩能量):75mJ
    - EAR(重复雪崩能量):2.5mJ
    - dv/dt(峰值二极管恢复dv/dt):5.5V/ns
    - RDS(on)(静态导通电阻):0.18Ω ~ 0.195Ω @ VGS = 10V
    - td(on)(开启延迟时间):30ns @ VDD = 50V
    - tr(上升时间):75ns @ ID1 = 8.0A
    - td(off)(关闭延迟时间):40Ω @ RG = 7.5Ω
    - tf(下降时间):45ns @ VGS = 10V
    - Ciss(输入电容):650pF @ VGS = 0V
    - Coss(输出电容):240pF @ VDS = 25V
    - Crss(反向转移电容):44pF @ f = 1.0MHz

    - 绝对最大额定值
    - ID1(连续漏极电流@VGS=10V, TC=25°C):8.0A
    - ID2(连续漏极电流@VGS=10V, TC=100°C):5.0A
    - IDM(脉冲漏极电流@TC=25°C):32A
    - PD(最大功率耗散@TC=25°C):25W
    - VGS(栅极到源极电压):±20V
    - TSTG(存储温度范围):-55°C ~ +150°C
    - 铅温度:300°C(0.063英寸/1.6毫米从外壳起10秒)
    - 重量:0.98g(典型)

    - 热阻
    - RθJC(结到外壳):5.0°C/W
    - RθJA(结到环境):175°C/W(典型插座安装)


    产品特点和优势



    IRFF130 JANTX2N6796/JANTXV2N6796的主要特点和优势如下:

    - 可靠性和耐久性:采用先进的HEXFET®技术,提供非常低的导通电阻和高的跨导率。
    - 简单驱动需求:栅极驱动要求低,简化了设计复杂度。
    - 环境适应性:能够在宽广的温度范围内稳定工作,适用于严苛的工业应用环境。
    - 高效转换:具备快速开关能力和温度稳定的电气参数。


    应用案例和使用建议



    该器件在多个应用中表现出色,具体如下:

    - 开关电源:用于转换器设计中的高效能量转换。
    - 电机控制:提高电机控制系统的效率和响应速度。
    - 音频放大器:提供清晰的音频信号传输。
    - 逆变器:实现电力转换中的高效能转换。

    使用建议:
    - 确保在使用时遵循温度范围限制,以避免过热。
    - 使用适当的栅极电阻来优化开关性能。
    - 结合散热片以增强热管理。


    兼容性和支持



    IRFF130 JANTX2N6796/JANTXV2N6796与其他标准MOSFET器件兼容,且供应商提供了详尽的支持文档和技术服务。用户可通过官方渠道获得技术支持和售后服务。


    常见问题与解决方案



    - 问题1:如何正确选择合适的栅极电阻?
    - 解决方案:根据具体应用需求选择适当的栅极电阻,通常推荐值为7.5Ω。

    - 问题2:如何处理过热问题?
    - 解决方案:增加散热片,确保良好的热管理,并遵守规定的最大功率耗散。


    总结和推荐



    IRFF130 JANTX2N6796/JANTXV2N6796是一款高性能、高可靠性的N-Channel MOSFET晶体管,适用于多种应用场景。其优良的电气特性和简单的设计使得它在市场上具有很高的竞争力。综合考虑,我们强烈推荐使用这款产品,特别是在需要高能效和稳定性能的应用环境中。

JANTX2N6796参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 195mΩ
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V
配置 -
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 650pF
通道数量 -
最大功率耗散 25W
栅极电荷 28.5nC
Vds-漏源极击穿电压 100V
4.54mm(Max)
安装方式 通孔安装
应用等级 军用级

JANTX2N6796厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

JANTX2N6796数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES JANTX2N6796 JANTX2N6796数据手册

JANTX2N6796封装设计

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