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IRL3713STRRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 330W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 110nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 3mΩ@ 38A,10V 260A 5.89nF@15V D2PAK 贴片安装 6.5mm*6.22mm*2.3mm
供应商型号: UA-IRL3713STRRPBF
供应商: 海外现货
标准整包数: 800
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRL3713STRRPBF

IRL3713STRRPBF概述

    IRL3713 Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    IRL3713是一款高性能的HEXFET® 功率MOSFET,广泛应用于高频隔离式DC-DC转换器及计算机处理器电源的同步整流。其主要特征包括极低的栅极阻抗、较低的RDS(on)值(在4.5V VGS时),以及经过完全表征的雪崩电压和电流能力。此外,IRL3713采用无铅制造工艺,满足环保要求。

    2. 技术参数


    - 电气特性:
    - 漏源电压 (VDS): 30V
    - 连续漏电流 (ID): 260A @ VGS = 10V
    - 极大脉冲漏电流 (IDM): 1040A
    - 最大功率耗散 (PD): 30W @ TC = 25°C,180W @ TC = 100°C
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(on)): 3.0mΩ @ VGS = 10V
    - 热阻 (RθJA): 62°C/W (标准封装),40°C/W (板上安装)
    - 雪崩能量 (EAS): 2.2mJ
    - 雪崩电流 (IAR): 170A
    - 其他特性:
    - 门限电压 (VGS(th)): 1.0V - 2.5V
    - 门电阻 (RG): 0.5Ω - 3.4Ω
    - 前向传输电导 (gfs): 76S
    - 门充电 (Qg): 75nC - 110nC
    - 反向恢复时间 (trr): 75ns - 120ns

    3. 产品特点和优势


    IRL3713具有多个显著优势:
    - 极低的栅极阻抗:提高了开关效率。
    - 极低的RDS(on):在4.5V VGS时,有助于降低功耗。
    - 完全表征的雪崩特性:确保了可靠性和安全性。
    - 无铅制造:符合环保要求。
    - 100% RG 测试:保证产品质量。
    这些特点使IRL3713成为各种高要求应用的理想选择。

    4. 应用案例和使用建议


    IRL3713适用于多种应用场合,例如:
    - 高频隔离式DC-DC转换器:用于电信和工业用途。
    - 计算机处理器电源:提高转换效率和可靠性。
    使用建议:
    - 在高频率应用中,需要关注热管理和散热设计,以避免过热问题。
    - 选择合适的栅极电阻 (RG) 以优化开关性能。
    - 配合使用散热片和适当的电路布局来改善热分布。

    5. 兼容性和支持


    IRL3713系列包括不同封装形式(如D2Pak, TO-220AB, TO-262)以满足不同的应用需求。供应商提供详细的使用指南和支持服务,帮助用户进行正确的电路设计和应用。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何优化栅极驱动?
    - 解决方案:使用适当的栅极电阻 (RG) 来匹配驱动电路。参考手册中的建议值。
    - 问题2:过温问题如何处理?
    - 解决方案:确保有效的热管理,使用散热片或散热器,并优化电路布局。

    7. 总结和推荐


    IRL3713系列MOSFET凭借其高效、可靠的特性,在高频应用领域表现出色。极低的RDS(on)、栅极阻抗以及全面表征的雪崩特性使其成为许多高端应用的首选。推荐用于需要高效能、高可靠性电力转换的应用场景。
    总结:
    - 优点:高效的开关性能,良好的温度特性,完全表征的雪崩特性。
    - 推荐使用:适合于高频DC-DC转换器、计算机处理器电源等领域。

IRL3713STRRPBF参数

参数
栅极电荷 110nC@ 4.5 V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.89nF@15V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 330W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@ 38A,10V
配置 独立式
Id-连续漏极电流 260A
长*宽*高 6.5mm*6.22mm*2.3mm
通用封装 D2PAK
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

IRL3713STRRPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRL3713STRRPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRL3713STRRPBF IRL3713STRRPBF数据手册

IRL3713STRRPBF封装设计

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