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BSC011N03LSIATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS系列, Vds=30 V, 100 A, TDSON封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: CGC-BSC011N03LSIATMA1
供应商: 海外现货
标准整包数: 5000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) BSC011N03LSIATMA1

BSC011N03LSIATMA1概述


    产品简介


    产品类型: BSC011N03LSI是一款N沟道增强型MOSFET,属于OptiMOSTM系列,具有30V的耐压能力。
    主要功能:
    - 高性能的开关模式电源(SMPS)优化设计
    - 内置单片肖特基二极管
    - 极低的导通电阻RDS(on)
    - 具备高能雪崩测试
    - 卓越的热阻抗
    - 符合JEDEC标准
    应用领域:
    - 适用于各种高性能开关电源设计,如DC-DC转换器、电源管理模块、电机驱动等应用。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 耐压 (VDS) | 30 | V |
    | 最大导通电阻 (RDS(on)) | 1.1 | mΩ |
    | 连续漏极电流 (ID) | 230 | A |
    | 输出电荷 (QOSS) | 45 | nC |
    | 输入电容 (Ciss) | 4300-5719 | pF |
    | 电荷存储时间 (td(on)) | 6.4 | ns |
    | 漏极持续电流 (IAS) | - | 50 | A |

    产品特点和优势


    独特功能:
    - 集成单片肖特基二极管,提升效率
    - 非常低的导通电阻,特别适合高效率电源设计
    - 高可靠性,100%雪崩测试确保了其在恶劣环境下的稳定性
    市场竞争力:
    - 出色的性能参数使其在市场上具有显著优势,特别是在需要高效率和高可靠性的应用中。
    - 符合环保标准(RoHS、无卤素),适合广泛的商业应用。

    应用案例和使用建议


    实际应用场景:
    - 适用于多种开关电源设计,比如直流到直流(DC-DC)转换器、电机驱动电路、以及各种电池充电器等。
    - 通过优化电路设计,可以进一步提高转换效率,降低功耗。
    使用建议:
    - 在选择散热器时,考虑到该器件具有较高的热阻抗,需选择合适的散热解决方案以保证长期稳定运行。
    - 对于频繁开关的应用场景,要特别注意防止过温损坏,可考虑外部冷却系统。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 该产品采用PG-TDSON-8封装,与市场上其他同类型号的MOSFET具有良好的兼容性。
    支持:
    - 厂商提供全面的技术文档和专业支持,包括详尽的数据手册、应用笔记以及售后技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: MOSFET过热怎么办?
    - 解决方案: 确保散热系统设计合理,必要时增加散热器或者风冷装置。
    2. 问题: 开关频率不稳定?
    - 解决方案: 检查电路连接,确认栅极电阻(RG)设置正确,并且电源电压稳定。
    3. 问题: 导通电阻过高?
    - 解决方案: 确认驱动电压(VGS)达到指定值,建议在10V左右,以确保最佳性能。

    总结和推荐


    综合评估:
    - BSC011N03LSI MOSFET凭借其卓越的性能参数和高效的设计,成为众多电源应用的理想选择。它在低导通电阻、高温稳定性和环保特性方面表现出色,非常适合需要高效率和高可靠性的应用场合。
    推荐:
    - 推荐该产品用于需要高性能、高效率和稳定性的应用场景。对于任何涉及开关电源或电池管理系统的工程设计项目,BSC011N03LSI都是一个值得考虑的优秀选择。

BSC011N03LSIATMA1参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.3nF@15V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1mΩ@ 30A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
最大功率耗散 2.5W(Ta),96W(Tc)
栅极电荷 68nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 37A,100A
FET类型 1个N沟道
配置 -
通道数量 -
长*宽*高 6.1mm*5.35mm*1.1mm
通用封装 5000,TDFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

BSC011N03LSIATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BSC011N03LSIATMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES BSC011N03LSIATMA1 BSC011N03LSIATMA1数据手册

BSC011N03LSIATMA1封装设计

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