处理中...

首页  >  产品百科  >  BSD223P L6327

BSD223P L6327

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 250mW 12V 1.2V@ 1.5µA 0.62nC@ 4.5V 1个P沟道 20V 1.2Ω@ 390mA,4.5V 390mA 56pF@15V SOT-363-6 贴片安装 2mm*1.25mm*900μm
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) BSD223P L6327

BSD223P L6327概述

    # OptiMOS™-P 小信号晶体管 BSD 223P 技术手册

    产品简介


    OptiMOS™-P 系列的小信号晶体管 BSD 223P 是一款高性能的双 P 沟道增强型 MOSFET。这款产品以其超逻辑电平(Super Logic Level)的特性设计,能够以低至 2.5V 的驱动电压实现高效运行,适用于现代紧凑型电路设计。BSD 223P 主要用于小信号切换和电流调节任务,广泛应用于便携式电子设备、电源管理模块及电池保护电路等领域。
    关键功能
    - 双 P 沟道设计,实现双通道功能
    - 增强模式操作,支持多种控制场景
    - 超逻辑电平特性,降低驱动电压需求
    - 高温适应能力:最高可达 150°C 工作温度
    - 雪崩耐受能力,提供更高的可靠性

    技术参数


    以下是 BSD 223P 的关键技术和电气特性参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极持续电流 | ID | -0.39 | -0.31 | N/A | A |
    | 热阻(结到引脚) | RthJS | N/A | N/A | 180 | K/W |
    | 热阻(结到环境) | RthJA | N/A | N/A | 500 | K/W |
    | 开启电阻 | RDS(on) | N/A | 1.27 | 2.1 | Ω |
    | 栅源击穿电压 | VGS(th) | -0.6 | -0.9 | -1.2 | V |
    | 栅源漏击穿电压 | V(BR)DSS | -20 | N/A | N/A | V |
    工作条件
    - 最高工作温度:+150°C
    - 最低存储温度:-55°C
    - 工作电压范围:-10 至 -20V

    产品特点和优势


    BSD 223P 在设计上具有以下显著特点:
    - 双通道架构可有效减少占用空间,提升电路集成度。
    - 高温稳定性和雪崩耐受性使产品适合恶劣的工作环境。
    - 出色的开关速度,能显著提高整体系统效率。
    - 支持广泛的驱动电压范围,易于与其他控制器兼容。
    这些特性使其成为消费电子、工业控制和汽车电子应用的理想选择。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电池保护电路:通过限制过流或过压来保护锂离子电池组。
    - 电源管理模块:用于电源开关或线性稳压器的预驱动器。
    - 便携式设备:为小型设备提供高效能量管理。
    使用建议
    - 当用于电池保护时,建议将最大电流设置低于典型值,以确保安全运行。
    - 若用于高频率切换应用,则需优化驱动电路设计以降低损耗。

    兼容性和支持


    BSD 223P 提供 PG-SOT-363 封装形式,与大多数现代 SMD 设备兼容。Infineon 提供全面的技术支持,包括设计指南、样品请求和长期供货保障。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何避免栅极损坏?
    - 答:始终确保 VGS 不超过 ±12V,使用合适的栅极电阻防止电压尖峰。
    2. 问:芯片热管理需要注意什么?
    - 答:使用良好的 PCB 散热设计或加装散热片,确保工作温度不超过额定值。

    总结和推荐


    总体而言,BSD 223P 以其卓越的性能、广泛的适用性和高可靠性,在小信号切换和电流调节领域表现出色。强烈推荐用于需要高效能、紧凑布局和宽温度范围的电子产品设计中。如果您正在寻找一款能够满足复杂应用场景需求的 MOSFET,BSD 223P 是您的理想选择。

BSD223P L6327参数

参数
Id-连续漏极电流 390mA
通道数量 2
最大功率耗散 250mW
Vgs-栅源极电压 12V
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V@ 1.5µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 56pF@15V
Vds-漏源极击穿电压 20V
配置
Rds(On)-漏源导通电阻 1.2Ω@ 390mA,4.5V
栅极电荷 0.62nC@ 4.5V
长*宽*高 2mm*1.25mm*900μm
通用封装 SOT-363-6
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

BSD223P L6327厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BSD223P L6327数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES BSD223P L6327 BSD223P L6327数据手册

BSD223P L6327封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
库存: 0
起订量: 0 增量: 0
交货地:
最小起订量为:0
合计: $ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336