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IRLR3636TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=60 V, 99 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 14M-IRLR3636TRPBF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRLR3636TRPBF

IRLR3636TRPBF概述

    IRLR3636PbF HEXFET Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRLR3636PbF 和 IRLU3636PbF 是由 IR(International Rectifier)公司设计的高效 HEXFET 功率 MOSFET。它们广泛应用于直流电机驱动、同步整流、不间断电源系统、高速功率开关电路、硬开关和高频电路等领域。

    技术参数


    以下是 IRLR3636PbF 和 IRLU3636PbF 的关键技术和电气特性:
    - VDSS(最大漏源电压): 60V
    - RDS(on)(导通电阻): 5.4 mΩ(典型值),6.8 mΩ(最大值)
    - ID(连续漏极电流,硅限): 99A(TC=25°C),70A(TC=100°C)
    - ID(连续漏极电流,封装限): 50A(TC=25°C)
    - PD(最大功率损耗): 96.2W(TC=25°C)
    - VGS(栅极-源极电压): ±16V
    - TJ(工作结温范围): -55°C 至 +175°C
    - 存储温度范围(TSTG): -55°C 至 +175°C
    - 热阻(RθJC): 1.05°C/W(典型值)
    - 热阻(RθJA): 50°C/W(PCB 安装)
    - 门限电压(VGS(th)): 1.0V 至 2.5V
    - 反向恢复时间(trr): 27ns(TJ=25°C),32ns(TJ=125°C)

    产品特点和优势


    1. 优化逻辑电平驱动: 优化后的逻辑电平驱动使得该 MOSFET 能够轻松集成到各种数字控制系统中。
    2. 低 RDS(on): 在 4.5V VGS 下,RDS(on) 可以达到非常低的水平,提高了效率。
    3. 卓越的 RQ: 在 4.5V VGS 下表现出优异的 RQ 性能。
    4. 增强的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性: 改进了 MOSFET 的抗干扰能力。
    5. 完全表征的容差和雪崩耐受性: 这些特性确保了在极端条件下的可靠性和耐用性。

    应用案例和使用建议


    - 直流电机驱动: 适用于需要高功率密度和高效驱动的应用。
    - 高效率同步整流: 在开关模式电源(SMPS)中使用时,可以提高系统的整体效率。
    - 不间断电源系统: 高效的开关和稳定的性能确保系统能够在不同负载条件下平稳运行。
    - 高速功率开关: 快速的开关时间和较低的开关损耗有助于减少能量损失并提高系统的响应速度。
    使用建议:
    - 确保 MOSFET 工作在指定的温度范围内,以避免过热导致损坏。
    - 在电路设计中合理分配散热路径,以保证 MOSFET 的正常工作。

    兼容性和支持


    IRLR3636PbF 和 IRLU3636PbF 与其他标准封装和焊接技术兼容,具体建议可参考应用说明 #AN-994。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 漏极电流过大导致过热。
    - 解决办法: 使用适当的散热装置,如散热片或散热风扇,并保证良好的 PCB 设计。
    - 问题: MOSFET 在高频率操作时出现过压。
    - 解决办法: 使用合适的缓冲电路或保护电路来吸收瞬态电压。

    总结和推荐


    IRLR3636PbF 和 IRLU3636PbF 在设计上充分考虑了高效率和可靠性,特别适合在高温、高频和高功率的应用环境中使用。这些特性使其成为电力电子领域中极具竞争力的产品。基于其出色的性能和广泛的应用领域,强烈推荐在需要高效、稳定工作的电力电子项目中使用。
    请注意,上述内容基于提供的技术手册内容进行编排,如有进一步的技术细节或应用需求,请参阅完整的技术手册或联系供应商获取更多支持。

IRLR3636TRPBF参数

参数
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 16V
最大功率耗散 143W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 6.8mΩ@ 50A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 100µA
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 49nC@ 4.5 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.779nF@50V
Id-连续漏极电流 50A
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.52mm(Max)
通用封装 SOT-263,TO-220,TO-252,TO-252-2
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IRLR3636TRPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRLR3636TRPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF数据手册

IRLR3636TRPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 4.4962
10+ ¥ 4.0293
30+ ¥ 3.5378
100+ ¥ 3.4396
300+ ¥ 3.3079
1000+ ¥ 3.2116
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