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IPW60R160P6

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 176W(Tc) 20V 4.5V@ 750µA 44nC@ 10 V 1个N沟道 600V 160mΩ@ 9A,10V 23.8A 2.08nF@100V TO-247 通孔安装 16.13mm*5.21mm*21.1mm
供应商型号: 726-IPW60R160P6
供应商: Mouser
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPW60R160P6

IPW60R160P6概述

    # CoolMOS™ P6 600V Power Transistor 技术手册

    产品简介


    CoolMOS™ P6 系列是 Infineon Technologies 推出的一款革命性的高压功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该系列将超结 (SJ) 原理的设计经验和前沿创新相结合,提供了高速开关 SJ MOSFET 的所有优势,而不会牺牲易用性。CoolMOS™ P6 功率晶体管凭借极低的开关和导通损耗,使得开关应用更加高效、紧凑、轻便且温度更低。
    主要功能
    - 快速开关
    - 高能效
    - 适用于多种应用领域
    应用领域
    - 功率因数校正 (PFC) 阶段
    - 硬开关 PWM 阶段
    - 谐振开关阶段
    - 如 PC Silverbox、适配器、LCD 和 PDP 电视、照明、服务器、电信及 UPS 设备

    技术参数


    关键性能参数
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压 | 650 | V |
    | 最大导通电阻 | 160 | mΩ |
    | 典型栅极电荷 | 44 | nC |
    | 脉冲漏电流 | 68 | A |
    | Eoss@400V | 5.7 | µJ |
    | 反向恢复二极管 d/dt | 500 | A/µs |
    极限参数
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 | 注释/测试条件 |

    | 持续漏极电流1) | ID | 23.8 | A | TC=25°C |
    | 脉冲漏极电流2) | ID,pulse| 68 | A | TC=25°C |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 497 | mJ | ID=4.1A; VDD=50V; 见表 12 |
    | 反复雪崩能量 | EAR | 0.75 | mJ | ID=4.1A; VDD=50V; 见表 12 |
    | 反复雪崩电流 | IAR | 4.1 | A | - |
    | MOSFET dv/dt 抗扰度 | dv/dt | 100 | V/ns | VDS=0...400V |
    | 静态栅源电压 | VGS | -20~20 | V | 静态 |
    | 动态栅源电压 | VGS | -30~30 | V | AC (f>1 Hz) |
    热特性
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 | 注释/测试条件 |

    | 结-壳热阻 | RthJC | - | °C/W | - |
    | 结-环境热阻 | RthJA | - | °C/W | leaded |
    | 波峰焊接允许焊锡温度 | Tsold | - | °C | 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s|

    产品特点和优势


    CoolMOS™ P6 功率晶体管具有以下独特的功能和优势:
    - 增强的 MOSFET dv/dt 鲁棒性
    - 极低的损耗,由非常低的 FOM RdsonQg 和 Eoss 实现
    - 极高的换流鲁棒性
    - 容易驱动和使用
    - 无铅镀层和无卤素模塑化合物
    - 适用于工业级应用,符合 JEDEC 标准 (J-STD020 和 JESD22)

    应用案例和使用建议


    使用建议
    - 并联 MOSFET 时,通常推荐使用扼流圈或独立的推挽电路。
    应用案例
    CoolMOS™ P6 适用于多种电子设备,如:
    - 功率因数校正 (PFC) 阶段:用于电源系统的稳定控制。
    - 适配器:用于各种消费电子产品的小型化设计。
    - 服务器:用于数据中心的高效率运行。
    - 电信和 UPS:用于确保稳定供电。

    兼容性和支持


    CoolMOS™ P6 系列提供了多种封装形式,以满足不同应用的需求:
    - IPW60R160P6: PG-TO 247 封装
    - IPB60R160P6: PG-TO 263 封装
    - IPP60R160P6: PG-TO 220 封装
    - IPA60R160P6: PG-TO 220 FullPAK 封装

    常见问题与解决方案



    常见问题与解决方案


    1. 问:如何实现 MOSFET 并联?
    - 答:通常推荐使用扼流圈或独立的推挽电路。
    2. 问:如何确保安全操作?
    - 答:参考数据手册中的安全操作区域图,确保在规定的电压和电流范围内使用。
    3. 问:如何进行波峰焊接?
    - 答:波峰焊接仅允许在引脚处进行,焊锡温度不应超过 260°C。

    总结和推荐


    CoolMOS™ P6 功率晶体管凭借其高效能、紧凑设计和出色的可靠性,在众多应用领域中表现出色。它非常适合用于需要高效率和紧凑尺寸的应用,如服务器、电信设备和适配器。我们强烈推荐使用 CoolMOS™ P6 系列产品,以获得卓越的性能和可靠性。
    请注意,本文档中的所有信息均按原样提供,Infineon Technologies 不对文档内容的准确性或完整性作出任何保证。如有疑问或发现错误,请通过 erratum@infineon.com 联系反馈。

IPW60R160P6参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 160mΩ@ 9A,10V
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.08nF@100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 750µA
最大功率耗散 176W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 600V
配置 独立式
Id-连续漏极电流 23.8A
栅极电荷 44nC@ 10 V
长*宽*高 16.13mm*5.21mm*21.1mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

IPW60R160P6厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPW60R160P6数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R160P6 IPW60R160P6数据手册

IPW60R160P6封装设计

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Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 4.6345 ¥ 39.1615
10+ $ 3.289 ¥ 27.7921
25+ $ 2.926 ¥ 24.7247
100+ $ 2.5056 ¥ 21.1723
240+ $ 2.2572 ¥ 19.0733
480+ $ 2.16 ¥ 18.252
1200+ $ 1.932 ¥ 16.3254
2640+ $ 1.8795 ¥ 15.8818
库存: 881
起订量: 1 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 39.16
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10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
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