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BSZ086P03NS3 G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 69W 25V 1.9V 43.2nC@ 10V 1个P沟道 30V 8.6mΩ@ 10V 3.19nF@ 15V TSDSON-8 贴片安装,黏合安装 3.3mm*3.3mm*1.1mm
供应商型号: BSZ086P03NS3 G
供应商: 云汉优选
标准整包数: 5000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) BSZ086P03NS3 G

BSZ086P03NS3 G概述

    BSZ086P03NS3 G OptiMOSTM P3 Power Transistor 技术手册

    1. 产品简介


    BSZ086P03NS3 G 是一款采用 S3O8 封装的单片 P-沟道功率晶体管。这款晶体管是为JEDEC认证的目标应用而设计,特别适合笔记本电脑等电池管理和负载开关的应用。该产品符合无铅和RoHS标准,并且不含卤素,使其更环保。其主要功能包括:高耐温能力(可达150°C)、高击穿电压(-30V)和低导通电阻(最大8.6 mΩ)。这些特点使得它广泛应用于电池管理、负载开关等场景。

    2. 技术参数


    - 连续漏极电流 (ID):在TC=25°C时为105A,在TC=70°C时为-160A。
    - 脉冲漏极电流 (ID,pulse):在TC=25°C时为-40A。
    - 雪崩能量 (EAS):在ID=-20A,RGS=25Ω时为1C (1 kV - 2 kV)。
    - 栅源电压 (VGS):±25V。
    - 功率耗散 (Ptot):在TA=25°C时为2.1W。
    - 结温范围 (Tj, Tstg):-55°C 至 150°C。
    - 热阻 (RthJC, RthJA):结到壳热阻RthJC为1.8K/W;结到环境热阻RthJA为60K/W。

    3. 产品特点和优势


    BSZ086P03NS3 G 的关键优势包括:
    - 高可靠性:通过了JEDEC认证,可在高温环境中稳定运行。
    - 低导通电阻:最大导通电阻为8.6 mΩ,保证了高效能转换。
    - 环境友好:无铅、无卤素,符合RoHS标准,环保性能佳。
    - 广泛适用性:适用于笔记本电脑和其他需要高功率密度的应用场合。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电池管理:用于控制电池的充电和放电过程,确保电池的高效管理和安全性。
    - 负载开关:实现高频率的开关操作,以满足快速响应的需求。
    使用建议:
    - 散热设计:由于该器件具有较高的功耗,建议在电路板上进行有效的散热设计,如增加铜箔面积或使用散热片。
    - 驱动电路:确保驱动电路提供适当的电压和电流,避免因过压或欠压导致的损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可以与多种电路板和电源系统兼容,适合各种集成度高的应用场景。
    - 技术支持:Infineon Technologies提供了详细的技术文档和支持服务,用户可以在官方网站(www.infineon.com)获取更多资源和帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 如何确保器件在高温环境下的稳定工作?
    解决方案: 选择合适的封装和散热措施,确保器件在高温环境下不会过热。

    - 问题2: 在高频开关应用中如何避免振铃现象?
    解决方案: 使用适当的栅极电阻值,减少开关过程中的振铃效应。

    7. 总结和推荐


    综合评估:BSZ086P03NS3 G 功率晶体管在高温环境下的可靠性和高效性令人印象深刻。它特别适用于电池管理和负载开关等应用场合,特别是在笔记本电脑等高可靠性需求的场合。其优越的性能和环境友好特性使其在市场上具备很强的竞争力。
    推荐使用:强烈推荐给需要高效率、高可靠性的电池管理和负载开关应用的客户。

BSZ086P03NS3 G参数

参数
最大功率耗散 69W
Vgs-栅源极电压 25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 8.6mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.19nF@ 15V
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 -
通道数量 1
配置 独立式
栅极电荷 43.2nC@ 10V
长*宽*高 3.3mm*3.3mm*1.1mm
通用封装 TSDSON-8
安装方式 贴片安装,黏合安装
应用等级 工业级
包装方式 卷带包装

BSZ086P03NS3 G厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BSZ086P03NS3 G数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES BSZ086P03NS3 G BSZ086P03NS3 G数据手册

BSZ086P03NS3 G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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10000+ ¥ 1.4667
20000+ ¥ 1.4419
40000+ ¥ 1.417
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