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IPD60R600P7S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 30W 20V 9nC@ 10V 600V 600mΩ@ 10V 363pF@ 400V TO-252
供应商型号: IPD60R600P7S
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPD60R600P7S

IPD60R600P7S概述

    IPD60R600P7S 600V CoolMOS P7 Power Transistor

    产品简介


    IPD60R600P7S 是一款由 Infineon Technologies 开发的CoolMOS P7 第七代高压功率 MOSFET。这款 MOSFET 具备出色的开关特性和导通损耗特性,特别适用于硬开关和软开关应用,如 PFC(功率因数校正)和 LLC(串联谐振转换器)。它的主要特点是低反向恢复电压、高抗短路能力和优秀的静电放电(ESD)能力,适用于多种电力应用和广泛功率范围内的需求。

    技术参数


    - 基本规格
    - 最大漏源击穿电压:650V
    - 漏源导通电阻(最大值):600mΩ
    - 门极到源极漏电流:1000nA (VGS=20V, VDS=0V)
    - 极限门极到源极电压(静态):±20V
    - 极限门极到源极电压(动态):±30V
    - 功率耗散:30W (TC=25°C)

    - 动态特性
    - 输入电容(Ciss):363pF
    - 输出电容(Coss):7pF
    - 反向恢复时间(trr):160ns
    - 峰值反向恢复电流(Irrm):9.9A

    - 其他特性
    - 一次性雪崩能量(EAS):17mJ
    - 反复雪崩能量(EAR):0.08mJ
    - 反向恢复电荷(Qrr):0.71µC

    产品特点和优势


    - 易用性:具备低振铃倾向,易于设计,非常适合 PFC 和 PWM 阶段的应用。
    - 热管理简化:由于低开关和导通损耗,简化了热管理。
    - 增强可靠性:超过 2kV 的 ESD 保护使得其适用于各种应用场景。
    - 宽泛的应用领域:可用于 PFC 阶段、硬开关 PWM 阶段和共振开关阶段,适合 PC Silverbox、适配器、液晶和等离子电视、照明、服务器和电信系统及不间断电源(UPS)。

    应用案例和使用建议


    - PFC 阶段:用于功率因数校正电路中,确保电流和电压的相位对齐。
    - 硬开关 PWM 阶段:在高频开关电源设计中提供高效的开关性能。
    - 共振开关阶段:适用于要求高效率和低损耗的应用,如电源适配器和服务器电源。
    使用建议:
    - 在 MOSFET 并联时,推荐使用磁珠或者独立的推拉管。
    - 确保电路的设计符合产品手册中的测试电路和典型参数。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IPD60R600P7S 具有良好的封装兼容性,能够与现有的 PCB 设计无缝集成。
    - 技术支持:Infineon Technologies 提供相关的网页、应用笔记和仿真模型等资源,以帮助客户更好地理解和应用此产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:振铃现象严重。
    - 解决方案:通过添加磁珠或独立的推拉管来降低振铃。
    - 问题二:散热不良导致温度过高。
    - 解决方案:优化散热设计,确保使用适当的散热片或其他冷却措施。

    总结和推荐


    IPD60R600P7S 是一款出色的功率 MOSFET,具备优异的性能和广泛的应用领域。它的高可靠性和出色的热管理能力使其成为电力应用的理想选择。因此,我们强烈推荐在需要高效能电力转换的应用中使用这款产品。

IPD60R600P7S参数

参数
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
栅极电荷 9nC@ 10V
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 363pF@ 400V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 600mΩ@ 10V
通道数量 -
最大功率耗散 30W
通用封装 TO-252
包装方式 卷带包装

IPD60R600P7S厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPD60R600P7S数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPD60R600P7S IPD60R600P7S数据手册

IPD60R600P7S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 2.55
5000+ ¥ 2.4072
7500+ ¥ 2.346
10000+ ¥ 2.3052
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起订量: 2500 增量: 0
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