处理中...

首页  >  产品百科  >  IRF7324TRPBF

IRF7324TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=20 V, 9 A, SO-8封装, 通孔安装
供应商型号: 30C-IRF7324TRPBF SO-8
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF7324TRPBF

IRF7324TRPBF概述

    HEXFET® Power MOSFET IRF7324PbF 技术手册

    产品简介


    HEXFET® Power MOSFET 系列是国际整流器公司(International Rectifier)推出的高性能功率场效应晶体管,旨在为电池管理和负载管理应用提供高效且可靠的解决方案。IRF7324PbF 是该系列中的一款双沟道P沟道MOSFET,具备极低的导通电阻(RDS(on))和较高的热阻抗,适用于多种高功率应用。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | VDS | -20 | - | - | V |
    | ID(TA=25℃) | -9.0 | - | - | A |
    | ID(TA=70℃) | -7.1 | - | - | A |
    | IDM | - | - | -71 | A |
    | PD(TA=25℃) | - | - | 2.0 | W |
    | PD(TA=70℃) | - | - | 1.3 | W |
    | VGS | ±12 | - | ±12 | V |
    | TJ, TSTG | -55 | - | 150 | ℃ |

    产品特点和优势


    - 沟槽技术(Trench Technology):采用先进的沟槽加工技术,使得每单位硅面积的导通电阻达到极低水平。
    - 超低导通电阻(Ultra Low On-Resistance):典型导通电阻仅为0.018Ω(VGS = -4.5V, ID = -9.0A)。
    - 双P沟道设计(Dual P-Channel MOSFET):能够处理更高的电压和电流。
    - 低轮廓封装(Low Profile <1.1mm):适合紧凑空间的应用需求。
    - 无铅包装(Lead-Free):符合环保要求,适合现代电子产品生产。
    - 2.5V额定电压(Rated 2.5V):适用于低电压系统。

    应用案例和使用建议


    IRF7324PbF 广泛应用于电池管理系统和负载管理中。例如,在开关电源中,它可以用于提高转换效率并减少功耗。为了实现最佳性能,建议按照以下几点操作:
    - 确保 VGS 保持在 ±12V 以内,以避免击穿。
    - 在脉冲条件下工作时,注意热限制,避免超过最大功率。
    - 在高压和大电流条件下,建议选择适当的散热措施以确保可靠运行。

    兼容性和支持


    IRF7324PbF 支持标准 SO-8 封装,并且可以与同类产品和其他电子设备轻松集成。国际整流器公司提供了详尽的技术文档和客户支持,帮助用户正确使用该产品。公司网站还提供了详细的资格标准文档。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 导通电阻异常高 | 检查 VGS 是否在额定范围内;检查是否过热。 |
    | 过早出现热关断 | 检查散热设计;调整驱动电路。 |
    | 脉冲电流超出最大值 | 减少脉冲宽度或降低电流。 |

    总结和推荐


    IRF7324PbF 是一款性能卓越、可靠性高的 P 沟道 MOSFET,非常适合用于电池和负载管理应用。其超低的导通电阻和沟槽技术使其成为同类产品中的佼佼者。推荐在高效率、紧凑设计的应用场景中使用,例如开关电源、电机控制等领域。总的来说,这款产品在市场中具有很强的竞争优势,值得推荐使用。

IRF7324TRPBF参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 18mΩ@ 9A,4.5V
Vgs-栅源极电压 12V
最大功率耗散 2W
栅极电荷 63nC@ 5V
配置
Vds-漏源极击穿电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.94nF@15V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
FET类型 2个P沟道
通道数量 2
Id-连续漏极电流 9A
5mm(Max)
4mm(Max)
1.75mm(Max)
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IRF7324TRPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF7324TRPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRF7324TRPBF IRF7324TRPBF数据手册

IRF7324TRPBF封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 3.619
100+ ¥ 3.003
1000+ ¥ 2.783
2000+ ¥ 2.662
4000+ ¥ 2.541
24000+ ¥ 2.519
52000+ ¥ 2.486
库存: 24380
起订量: 1 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 3.61
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336