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IRF250P224

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: MOS管, Vds=250 V, 128 A, TO-247AC封装, 表面贴装
供应商型号: IRF250P224
供应商: 国内现货
标准整包数: 400
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF250P224

IRF250P224概述

    IRF250P224 MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRF250P224 是一款由 Infineon Technologies 生产的高性能增强型IRFET(即强健IRFET)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它主要应用于电源管理,包括不间断电源(UPS)、逆变器、半桥及全桥拓扑结构、谐振模式电源供应、直流/直流(DC/DC)和交流/直流(AC/DC)转换器、并联冗余电源开关、有刷电机和无刷直流(BLDC)电机驱动器以及电池供电电路。IRF250P224 具有低导通电阻、高雪崩耐受能力及动态 dv/dt 稳定性等优点,使其成为电源管理和电机控制应用的理想选择。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压(VDS) | 250 | V |
    | 导通电阻(RDS(on)) | 9.0 ~ 12 | mΩ |
    | 持续漏极电流(ID) | 128 | A |
    | 脉冲漏极电流(IDM) | 512 | A |
    | 最大功率耗散(PD) | 556 | W |
    | 极限结温(TJ) | -55 ~ +175 | °C |
    | 储存温度范围(TSTG) | -55 ~ +175 | °C |
    | 输入电容(Ciss) | 9915 | pF |
    | 输出电容(Coss) | 1026 | pF |
    | 反向传输电容(Crss) | 8.3 | pF |
    | 门至源电荷(Qgs) | 48 | nC |
    | 门至漏电荷(Qgd) | 25 | nC |

    产品特点和优势


    IRF250P224 的核心优势包括:
    - 改善的门、雪崩和动态 dv/dt 强度。
    - 完全表征的电容和雪崩安全工作区。
    - 增强的体二极管 dv/dt 和 di/dt 能力。
    - 符合无铅、RoHS 和无卤要求。
    这些特性使得 IRF250P224 在需要高效能、高可靠性的电源管理应用中表现出色,尤其适用于恶劣的工业环境。

    应用案例和使用建议


    IRF250P224 广泛应用于多种电力电子设备,例如 UPS 和逆变器、半桥和全桥拓扑结构、谐振模式电源供应、DC/DC 和 AC/DC 转换器、冗余电源开关、有刷和 BLDC 电机驱动以及电池供电电路。这些应用需要强大的电力管理和可靠性保障,而 IRF250P224 正是为此设计的。
    使用建议:
    1. 散热管理:考虑到最大功率耗散为 556 W,有效的热管理非常重要。应采用散热片和风扇等手段来确保 MOSFET 的正常工作温度不超出规定范围。
    2. 脉冲电流限制:尽管最大脉冲漏极电流为 512 A,但为了防止损坏,建议避免长时间超过此电流操作。
    3. 输入电容匹配:输入电容(Ciss)对于降低电磁干扰(EMI)至关重要,因此应在设计中选择适当的输入电容值。

    兼容性和支持


    IRF250P224 采用 TO-247AC 封装,适用于大多数标准焊接工艺,包括回流焊和波峰焊。此外,Infineon Technologies 提供全面的技术支持,包括详细的参考设计和故障排除指南,以帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 高频应用时电磁干扰严重 | 使用较低的栅极电阻和适当的输入电容来减小电磁干扰。 |
    | 过载或短路时温度迅速升高 | 使用合适的散热措施,并考虑降低输入电流。 |
    | 开关过程中出现异常噪声 | 检查电路设计,特别是驱动电路,确认不存在寄生电感。 |

    总结和推荐


    总的来说,IRF250P224 是一款针对高功率密度应用设计的高效能 MOSFET。它的低导通电阻、高雪崩耐受能力和高可靠性使其成为电源管理和电机控制应用的理想选择。我们强烈推荐在涉及这些需求的应用中使用 IRF250P224,特别是那些需要高效率和高可靠性的场合。此外,Infineon Technologies 的强大技术支持也将大大简化产品集成过程。

IRF250P224参数

参数
栅极电荷 203nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 96A
最大功率耗散 313W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 250V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 9.915nF@50V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@ 58A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 270µA
15.87mm(Max)
5.31mm(Max)
20.7mm(Max)
通用封装 TO-247AC
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IRF250P224厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF250P224数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRF250P224 IRF250P224数据手册

IRF250P224封装设计

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4000+ ¥ 12.65
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