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IRL3103D1PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2W(Ta),89W(Tc) 1V@ 250µA 43nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 14mΩ@ 34A,10V 1.9nF@25V TO-220AB 通孔安装
供应商型号: IRL3103D1PBF-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 50
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRL3103D1PBF

IRL3103D1PBF参数

参数 值
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
栅极电荷 43nC@ 4.5 V
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
最大功率耗散 2W(Ta),89W(Tc)
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.9nF@25V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 14mΩ@ 34A,10V
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 管装

IRL3103D1PBF厂商介绍

英飞凌科技(Infineon Technologies)是一家半导体与系统解决方案供应商,产品组合涵盖模拟器件、微控制器、功率半导体、存储器及车载网络器件,并提供面向汽车、工业、能源和物联网的软硬件方案。

在云汉芯城,用户可通过完整 MPN、产品类别或 BOM 查询 Infineon Technologies 相关型号,如 IRF540NPBF、BTS50085-1TMA、IRFB4227PBF、IRLML6401TRPBF 等,并进一步核对 datasheet、库存、MOQ/SPQ、交期、合规文件需求和可替代型号信息。

【采购提示】型号规格请以 datasheet 为准;库存、价格、MOQ/SPQ 和交期请以实时查询、RFQ 回复或销售确认为准。

IRL3103D1PBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRL3103D1PBF IRL3103D1PBF数据手册

IRL3103D1PBF封装设计

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