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IRF200B211

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=200 V, 12 A, TO-220封装, 通孔安装
供应商型号: UA-IRF200B211
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF200B211

IRF200B211概述

    StrongIRFET™ IRF200B211 技术手册解析

    1. 产品简介


    StrongIRFET™ IRF200B211 是一种高性能的HEXFET® Power MOSFET(高压场效应晶体管),具有卓越的开关性能和高可靠性。这款MOSFET主要应用于电动机驱动(包括有刷电机和无刷电机)、电池供电电路、半桥和全桥拓扑结构、同步整流器、谐振模式电源供应器、直流/直流转换器和交流/直流逆变器等领域。其出色的电气特性和可靠性使其成为工业控制和消费电子产品中的理想选择。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 额定电压(VDSS): 200V
    - 最大漏源导通电阻(RDS(on)): 最大值为170mΩ,典型值为135mΩ
    - 连续漏极电流(ID): 在VGS @ 10V条件下,最大连续漏极电流为12A,在VGS @ 10V条件下,最大连续漏极电流为9.0A
    - 极限参数
    - 最大连续漏极电流(ID): 25°C时为12A,100°C时为9.0A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM): 34A
    - 最大功耗(PD): 80W
    - 最大栅极到源极电压(VGS): ±20V
    - 存储和工作温度范围(TSTG 和 TJ): -55°C 至 +175°C
    - 焊接温度: 300°C(持续10秒)
    - 静态参数
    - 击穿电压(V(BR)DSS): 200V(VGS = 0V,ID = 250µA)
    - 门限电压(VGS(th)): 3.0V 至 4.9V(VDS = VGS,ID = 50µA)
    - 漏极到源极漏电流(IDSS): 最大20µA(VDS = 200V,VGS = 0V)
    - 动态参数
    - 总栅极电荷(Qg): 15.3nC(ID = 7.2A)
    - 输入电容(Ciss): 790pF(VGS = 0V)
    - 输出电容(Coss): 62pF(VDS = 50V)
    - 反向传输电容(Crss): 21pF(f = 1.0MHz)
    - 有效输出电容(Coss eff.): 66pF(VGS = 0V,VDS = 0V至160V)

    3. 产品特点和优势


    - 增强的栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性:强固的电气特性,确保在极端条件下的可靠运行。
    - 完全表征的电容和雪崩SOA:提供了完整的性能曲线,便于系统设计和优化。
    - 增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力:保证了更快的恢复时间和更高的可靠性。
    - 无铅,符合RoHS标准和无卤素:环保材料的应用符合国际标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电动机驱动应用:适用于有刷电机和无刷电机驱动系统,提供高效率和快速响应。
    - 电池供电电路:低导通电阻和高效能的电容特性使其在电池供电设备中表现出色。
    - 高频电源转换器:由于具备低栅极电荷和低输出电容,适用于高频应用中的快速开关需求。
    使用建议:为了最大限度地发挥IRF200B211的优势,建议在设计时考虑合理的散热措施,以防止因过热导致的性能下降。同时,注意匹配合适的栅极电阻和门限电压设置,以优化开关速度和减少损耗。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:IRF200B211与多种电动机驱动电路和电源转换器兼容。适用于各类电源和控制系统。
    - 技术支持:制造商提供了详尽的技术文档和应用指南,同时可以通过官方网站获取最新的产品信息和技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q1:如何确保IRF200B211的稳定性?
    - A1:通过合理的布局设计和散热管理,如采用大尺寸散热片或强制冷却措施,可以确保器件稳定工作。
    - Q2:如果需要更换其他品牌的产品,是否有直接替换方案?
    - A2:IRF200B211在参数上与一些知名品牌的类似产品(如Infineon、ON Semiconductor)兼容,具体请参照其数据手册进行比对。

    7. 总结和推荐


    总体而言,StrongIRFET™ IRF200B211是一款极具性价比的高性能MOSFET。它在应用中的可靠性、高效能及广泛的应用范围使其成为电动机驱动和其他电力转换应用的理想选择。建议在设计过程中充分考虑其技术参数和使用环境,以最大化其效能。

IRF200B211参数

参数
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 170mΩ@ 7.2A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.9V@ 50µA
栅极电荷 23nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 12A
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 80W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 790pF@50V
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 200V
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IRF200B211厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF200B211数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRF200B211 IRF200B211数据手册

IRF200B211封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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308+ $ 0.5725 ¥ 4.7976
939+ $ 0.5563 ¥ 4.6614
2460+ $ 0.53 ¥ 4.4414
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