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IRFB812PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 78W(Tc) 20V 5V@ 250µA 20nC@ 10 V 1个N沟道 500V 2.2Ω@ 2.2A,10V 3.6A 810pF@25V TO-220AB 通孔安装 10mm*4.4mm*15.65mm
供应商型号: CY-IRFB812PBF
供应商: Avnet
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFB812PBF

IRFB812PBF概述

    IRFB812PbF HEXFET® Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IRFB812PbF 是一款由 International Rectifier 生产的 TO-220AB 封装的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款 MOSFET 主要用于开关电源和电机控制等应用,其特点在于高效的转换效率和较低的导通电阻。

    2. 技术参数


    - 基本参数:
    - 最大漏源电压 (VDSS): 500V
    - 静态导通电阻 (RDS(on) typ.): 1.75Ω
    - 典型反向恢复时间 (Trr typ.): 75ns
    - 连续漏极电流 (ID): 3.6A (TC = 25°C), 2.3A (TC = 100°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 14.4A
    - 功率耗散 (PD @ TC = 25°C): 78W
    - 线性降额因子: 0.63W/°C
    - 门极-源极电压 (VGS): ±20V
    - 反向恢复峰值电压变化率 (dv/dt): ≤ 32V/ns
    - 动态特性:
    - 转导电导 (gfs): 7.6S
    - 总门极电荷 (Qg): 20nC
    - 门极-源极电荷 (Qgs): 7.3nC
    - 门极-漏极电荷 (Qgd): 7.1nC
    - 开启延迟时间 (td(on)): 14ns
    - 上升时间 (tr): 22ns
    - 关断延迟时间 (td(off)): 24ns
    - 下降时间 (tf): 17ns
    - 输入电容 (Ciss): 810pF
    - 输出电容 (Coss): 47pF
    - 反向传输电容 (Crss): 7.3pF
    - 有效输出电容 (Coss eff.): 5.9pF
    - 热阻特性:
    - 结到壳体热阻 (RθJC): -
    - 壳体到散热器热阻 (RθCS): 0.5°C/W
    - 结到环境热阻 (RθJA): -

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:静态导通电阻仅为 1.75Ω,使得功耗更低,发热更少。
    - 高可靠性:最大漏源电压高达 500V,适用于多种高压应用。
    - 快速开关:典型反向恢复时间为 75ns,适用于高频开关应用。
    - 低输入电容:输入电容为 810pF,降低驱动功率需求。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 开关电源:IRFB812PbF 的低导通电阻使其成为理想的功率转换器组件。
    - 电机驱动:用于高效率的电机控制应用。
    - 使用建议:
    - 在设计电路时,需考虑其热特性,尤其是在高功率应用中,确保良好的散热设计。
    - 为了减少开关损耗,可以选择合适的门极驱动电阻以优化开启和关闭时间。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:
    - IRFB812PbF 适用于多种电路板设计,但请注意 TO-220AB 封装不推荐用于表面贴装应用。

    - 厂商支持:
    - 国际整流器公司提供详尽的技术文档和支持,可以通过其官方网站获取最新的数据表和技术支持信息。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1: 门极-源极电压过高导致损坏。
    - 解决方案: 确保 VGS 不超过额定值 ±20V。
    - 问题 2: 发热问题严重。
    - 解决方案: 使用良好的散热措施,如散热片或散热器,保持良好的热传导。

    7. 总结和推荐


    IRFB812PbF 是一款具有优异性能的功率 MOSFET,适用于高压和高频应用场合。其低导通电阻、高可靠性及快速开关性能使其在多种工业应用中表现出色。鉴于其出色的性能和稳定性,强烈推荐在需要高效转换的应用中使用 IRFB812PbF。

IRFB812PBF参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 810pF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
栅极电荷 20nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 500V
Id-连续漏极电流 3.6A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
最大功率耗散 78W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 2.2Ω@ 2.2A,10V
配置 独立式
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRFB812PBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFB812PBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFB812PBF IRFB812PBF数据手册

IRFB812PBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
300+ $ 0.3447 ¥ 2.9665
500+ $ 0.3415 ¥ 2.9395
1000+ $ 0.3319 ¥ 2.8047
5000+ $ 0.3319 ¥ 2.8047
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