处理中...

首页  >  产品百科  >  JANTXV2N6796

JANTXV2N6796

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 25W 20V 28.5nC(Max) @ 10V 1个N沟道 100V 195mΩ@ 10V 650pF@ 25V 通孔安装 8.3mm(长度)*8.3mm(宽度)
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) JANTXV2N6796

JANTXV2N6796概述

    # 技术手册:IRFF130 JANTX2N6796/JANTXV2N6796 HEXFET® 转换器

    产品简介


    基本介绍
    IRFF130 JANTX2N6796/JANTXV2N6796是一款由国际整流器公司(International Rectifier)推出的高压N沟道MOSFET晶体管。采用HEXFET®技术,具备重复性雪崩额定值和动态dv/dt评级,特别适用于高可靠性的功率应用领域。这些MOSFET具备非常低的导通电阻、高跨导和电压控制能力,非常适合于开关电源、电机控制、逆变器、斩波器、音频放大器和高能量脉冲电路等多种应用场合。

    技术参数


    | 符号 | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |

    | ID1 | 在VGS=10V, TC=25°C下的连续漏极电流 | 8.0 A
    | ID2 | 在VGS=10V, TC=100°C下的连续漏极电流 5.0 A
    | IDM | 在TC=25°C下的脉冲漏极电流 32 | A
    | PD | 在TC=25°C下的最大耗散功率 25 | W
    | VGS | 栅源电压 | ±20 V
    | EAS | 单脉冲雪崩能量 75 | mJ
    | IAR | 雪崩电流 8.0 | A
    | EAR | 重复性雪崩能量 2.5 | mJ
    | dv/dt | 二极管恢复峰值dv/dt 5.5 | V/ns

    产品特点和优势


    独特功能与优势
    - 重复性雪崩额定值和动态dv/dt评级:提供更高的可靠性,确保在极端条件下仍能稳定运行。
    - 高导通电阻和跨导率:使得产品能够在较低的功耗下实现高效转换。
    - 简单的驱动需求:易于集成到现有系统中,减少设计复杂度。
    - 耐热性:能够在较宽的工作温度范围内保持良好的性能。
    应用场景
    - 开关电源:利用低导通电阻和高跨导特性实现高效的能源转换。
    - 电机控制:确保精准控制,提高能效。
    - 逆变器:用于实现高效能的电力转换。
    - 音频放大器:提供稳定的电源输出,提升音质。
    - 高能量脉冲电路:承受高电流冲击,保证安全运行。

    应用案例和使用建议


    使用案例
    1. 开关电源
    - 使用示例:在某些特定条件下,如负载波动较大时,可以采用该MOSFET实现高效的电压转换。
    - 使用建议:在高负载条件下,考虑增加散热措施以维持正常工作温度。
    2. 电机控制
    - 使用示例:电机启动过程中需要较大的瞬态电流,可以通过该MOSFET实现平稳启动。
    - 使用建议:在长时间运行时注意监测温度变化,避免过热导致损坏。
    使用建议
    - 降低导通损耗:通过降低栅源电压至合理水平来降低导通电阻。
    - 优化布局:在电路板上尽量缩短引线长度,减少寄生电感,从而减少开关损耗。

    兼容性和支持


    该MOSFET与多种设备具有良好的兼容性,且厂商提供了全面的技术支持和服务。详细资料和购买渠道请访问Infineon Technologies官网。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 采取有效的散热措施,如增加散热片或散热风扇。 |
    | 驱动信号不稳定 | 检查驱动电路,确保信号稳定,同时检查供电电压是否符合要求。 |
    | 功耗过高 | 降低栅源电压,优化电路设计,减少不必要的功耗。 |

    总结和推荐


    综合评估
    IRFF130 JANTX2N6796/JANTXV2N6796 MOSFET凭借其出色的重复性雪崩额定值、简单的驱动需求和高可靠性,非常适合应用于高可靠性的功率转换场合。其优良的热稳定性、快速开关能力和广泛的温度范围使其在多种工业应用中表现出色。
    推荐使用
    鉴于其卓越的性能和广泛的应用范围,我们强烈推荐在各种功率转换场合使用该产品。通过合理的设计和安装,它可以充分发挥其优势,确保系统的长期稳定运行。

JANTXV2N6796参数

参数
栅极电荷 28.5nC(Max) @ 10V
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Rds(On)-漏源导通电阻 195mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 650pF@ 25V
配置 独立式
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 25W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
长*宽*高 8.3mm(长度)*8.3mm(宽度)
安装方式 通孔安装
应用等级 军用级

JANTXV2N6796厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

JANTXV2N6796数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES JANTXV2N6796 JANTXV2N6796数据手册

JANTXV2N6796封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
库存: 0
起订量: 0 增量: 0
交货地:
最小起订量为:0
合计: $ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336