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IRFR220NPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 43W(Tc) 20V 4V@ 250µA 23nC@ 10 V 1个N沟道 200V 600mΩ@ 2.9A,10V 5A 300pF@25V DPAK,TO-252AA 贴片安装
供应商型号: S-IRFR220NPBF
供应商: Future
标准整包数: 75
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFR220NPBF

IRFR220NPBF概述


    产品简介


    IRFR220NPbF 是一种由 International Rectifier 生产的高压 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 IRFU220NPbF 系列,主要用于高频直流到直流转换器。这款 MOSFET 具备低栅极至漏极电荷,能够显著减少开关损耗,特别适用于电信领域的 48V 输入正向转换器。此外,该产品还具备完全特性化的电容和雪崩电压特性,有助于简化设计过程。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 最大连续漏电流 \(ID\) @ 25°C: 5.0A
    - 最大连续漏电流 \(ID\) @ 100°C: 3.5A
    - 最大脉冲漏电流 \(I{DM}\): 20A
    - 最大功率耗散 \(PD\) @ 25°C: 43W
    - 线性降额因子: 0.71W/°C
    - 最大栅极至源极电压 \(V{GS}\): ±20V
    - 峰值二极管恢复 \(dv/dt\): 7.5V/ns
    - 最高工作结温 \(TJ\): -55°C 至 +175°C
    - 存储温度范围 \(T{STG}\): -55°C 至 +175°C
    - 焊接温度 (10秒内): 300°C (距封装 1.6mm)
    动态参数(\(TJ = 25°C\))
    - 总栅极电荷 \(Qg\): 15nC ~ 23nC ( \(ID = 2.9A\) )
    - 栅极至源极电荷 \(Q{gs}\): 2.4nC ~ 3.6nC ( \(V{DS} = 160V\) )
    - 栅极至漏极(米勒)电荷 \(Q{gd}\): 6.1nC ~ 9.2nC ( \(V{GS} = 10V\) )
    - 开通过程延时 \(td(on)\): 6.4ns
    - 上升时间 \(tr\): 11ns ( \(ID = 2.9A\) )
    - 关断延时 \(td(off)\): 20ns ( \(RG = 24Ω\) )
    - 下降时间 \(tf\): 12ns ( \(V{GS} = 10V\) )
    静态参数(\(TJ = 25°C\))
    - 漏源击穿电压 \(V{(BR)DSS}\): 200V
    - 栅阈电压 \(V{GS(th)}\): 2.0V ~ 4.0V
    - 静态漏源导通电阻 \(R{DS(on)}\): 600mΩ ( \(V{GS} = 10V, ID = 2.9A\) )

    产品特点和优势


    1. 低栅极至漏极电荷: 有效减少开关损耗,提升能效。
    2. 完全特性化电容: 包括有效的 \(C{OSS}\),简化设计过程,提高可靠性。
    3. 全面的雪崩电压和电流特性: 提高耐用性和安全性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电信领域: 48V 输入的正向转换器。
    - 电源管理: 适用于高频 DC-DC 转换器,如笔记本电脑和服务器电源。
    使用建议
    - 散热设计: 由于功率损耗较大,确保电路板和散热片的设计充分考虑热管理,避免过热。
    - 驱动电路设计: 在设计驱动电路时,考虑到 \(Qg\) 和 \(td(on)\) 等参数,以确保开关速度和稳定性。

    兼容性和支持


    - 兼容性: IRFR220NPbF 与各种主流电源管理和通信设备兼容。
    - 技术支持: Infineon Technologies 提供详细的文档和应用指南,包括焊盘布局和焊接技术推荐,可参见应用笔记 AN-994。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关损耗过高 | 确保良好的散热设计,选择合适的散热片和电路板布局。 |
    | 开关频率不稳定 | 检查驱动电路和信号完整性,确保信号传输稳定。 |
    | 电路过热 | 重新评估热设计,增加散热措施,例如使用更大的散热片或改进通风。 |

    总结和推荐


    IRFR220NPbF 是一款高性能的 MOSFET,具有低开关损耗、稳定的静态特性及全面的电气参数。它的适用范围广泛,尤其是在高频 DC-DC 转换器和电信领域,是设计工程师的理想选择。总体来说,推荐在需要高效能、可靠性和耐用性的应用中使用该产品。

IRFR220NPBF参数

参数
Id-连续漏极电流 5A
Vds-漏源极击穿电压 200V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 300pF@25V
栅极电荷 23nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 600mΩ@ 2.9A,10V
最大功率耗散 43W(Tc)
配置 独立式
通道数量 1
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.52mm(Max)
通用封装 DPAK,TO-252AA
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 散装,管装

IRFR220NPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFR220NPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFR220NPBF IRFR220NPBF数据手册

IRFR220NPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
75+ $ 0.4658 ¥ 3.9356
300+ $ 0.4503 ¥ 3.805
1125+ $ 0.4351 ¥ 3.6762
3000+ $ 0.4256 ¥ 3.5963
7500+ $ 0.407 ¥ 3.4392
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