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IRFR3607PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 140W(Tc) 20V 4V@ 100µA 84nC@ 10 V 1个N沟道 75V 9mΩ@ 46A,10V 56A 3.07nF@50V DPAK 贴片安装
供应商型号: 1602230
供应商: element14
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFR3607PBF

IRFR3607PBF概述


    产品简介


    本产品为IRFR3607PbF(D-Pak封装)和IRFU3607PbF(I-Pak封装)高压N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源管理领域的高效率同步整流、不间断电源、高速功率开关以及硬开关和高频电路。这些MOSFET具备优异的动态性能和可靠性,能够满足各类工业级应用的需求。

    技术参数


    - 基本参数
    - 漏源击穿电压 \(V{(BR)DSS}\): 75V
    - 静态漏源导通电阻 \(R{DS(on)}\): 7.34mΩ (典型值)
    - 最大连续漏极电流 (硅限值, TC = 25°C): 80A
    - 最大连续漏极电流 (硅限值, TC = 100°C): 56A
    - 栅源阈值电压 \(V{GS(th)}\): 2.0~4.0V
    - 电气特性
    - 总栅极电荷 \(Qg\): 56~84nC
    - 米勒电荷 \(Q{gd}\): 16nC
    - 输入电容 \(C{iss}\): 3070pF
    - 输出电容 \(C{oss}\): 280pF
    - 反向传输电容 \(C{rss}\): 130pF
    - 热阻
    - 结到外壳热阻 \(R{\theta JC}\): 1.045°C/W
    - 结到环境热阻 \(R{\theta JA}\) (PCB安装): 50°C/W
    - 结到环境热阻 \(R{\theta JA}\): 110°C/W
    - 绝对最大额定值
    - 连续栅极电压 \(V{GS}\): ±20V
    - 最大单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\): 140mJ (热限制)
    - 最大雪崩电流 \(I{AR}\): 27A

    产品特点和优势


    - 增强的栅极、雪崩和动态\(dv/dt\)稳健性: 保证了在苛刻条件下的稳定运行。
    - 全面表征的电容和雪崩安全工作区: 这确保了MOSFET可以在各种条件下可靠运行。
    - 改进的体二极管\(dV/dt\)和\(dI/dt\)能力: 适用于高频和快速响应应用。

    应用案例和使用建议


    - 应用领域: 高效同步整流、不间断电源、高速功率开关及硬开关和高频电路。
    - 使用建议:
    - 在设计中考虑散热: 由于MOSFET的功耗较高,需要合理布局以避免过热。
    - 注意引线电流限制: 在焊接时需要特别注意,因为过高的焊接温度可能导致引线电流限制问题。
    - 遵循建议的电路板尺寸: 使用1平方英寸的FR-4或G-10材料,遵循应用注释#AN-994中的建议足迹和焊接技术。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该MOSFET适用于多种电路拓扑结构,例如半桥和全桥电路。
    - 技术支持: 制造商提供了丰富的文档和在线资源,如应用注释#AN-994和AN-1005,详细说明了电路设计和使用方法。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 设备在启动时过热。
    - 解决方案: 检查散热系统的设计是否足够,确认PCB的铜箔厚度和布局是否合理。
    - 问题: 栅极电压波动导致开关不稳定。
    - 解决方案: 确认驱动器电路设计,增加外部滤波电容以平滑电压纹波。
    - 问题: 功率损耗较高。
    - 解决方案: 选择更高耐压的MOSFET型号,或者减少驱动信号频率以降低开关损耗。

    总结和推荐


    综上所述,IRFR3607PbF和IRFU3607PbF高压MOSFET在可靠性、动态性能和电特性方面表现优异,非常适合工业级电源管理和高速开关应用。对于追求高效能和长寿命的客户来说,强烈推荐使用这款MOSFET。

IRFR3607PBF参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 75V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@ 46A,10V
Id-连续漏极电流 56A
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.07nF@50V
栅极电荷 84nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 100µA
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 140W(Tc)
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.52mm(Max)
通用封装 DPAK
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 散装,管装

IRFR3607PBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFR3607PBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFR3607PBF IRFR3607PBF数据手册

IRFR3607PBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 1.2141 ¥ 10.162
10+ $ 1.0038 ¥ 8.4022
100+ $ 0.8154 ¥ 6.8248
500+ $ 0.6949 ¥ 5.8161
1000+ $ 0.5833 ¥ 4.8825
5000+ $ 0.5474 ¥ 4.582
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