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IPP80N03S4L03AKSA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 136W(Tc) 16V 2.2V@ 90µA 140nC@ 10 V 1个N沟道 30V 2.7mΩ@ 80A,10V 80A 9.75nF@25V TO-220 通孔安装 10mm*4.4mm*15.65mm
供应商型号: 2781100
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPP80N03S4L03AKSA1

IPP80N03S4L03AKSA1概述

    IPB80N03S4L-02/IPI80N03S4L-03/IPP80N03S4L-03 技术手册概述

    产品简介


    IPB80N03S4L-02、IPI80N03S4L-03和IPP80N03S4L-03 是Infineon Technologies AG推出的OptiMOS®-T2 功率晶体管系列的产品。这些晶体管属于N沟道增强型场效应晶体管(FET),适用于汽车电子和其他工业应用。它们具有低导通电阻(Rds(on))、高脉冲电流处理能力和出色的热稳定性。

    技术参数


    - 主要特性:
    - N沟道增强型场效应晶体管
    - 汽车级AEC Q101认证
    - 峰值回流温度等级MSL1(最高260°C)
    - 工作温度范围-55°C至+175°C
    - 绿色产品(符合RoHS标准)
    - 超低导通电阻
    - 单脉冲雪崩测试通过
    - 最大额定值:
    - 连续漏极电流 (ID):80A(TC=25°C)/ 80A(TC=100°C)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):260mJ(ID=80A)
    - 雪崩电流 (IAS):80A(TC=25°C)
    - 门源电压 (VGS):±16V
    - 功耗 (Ptot):136W(TC=25°C)
    - 工作及存储温度范围 (Tj, Tstg):-55...+175°C
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS):30V(ID=1mA)
    - 门限电压 (VGS(th)):1.0V~2.2V(ID=90µA)
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):2.0mΩ~3.2mΩ(VGS=10V, ID=80A)
    - 热特性:
    - 结壳热阻 (RthJC):1.1K/W
    - 结-环境热阻 (RthJA):62K/W(引线封装)

    产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(on)): 导致功耗减少,提高系统效率。
    - 高脉冲电流处理能力: 可以承受短时大电流冲击,适合多种应用场景。
    - 宽工作温度范围: 从-55°C到+175°C,适合恶劣环境应用。
    - 绿色产品: 符合RoHS标准,对环境友好。

    应用案例和使用建议


    - 应用领域: 广泛应用于电动汽车、工业自动化设备、电池管理系统等需要高可靠性、高效率的应用。
    - 使用建议: 在高温环境下使用时,应注意散热设计;在脉冲电流较大情况下,要保证良好的瞬态热阻。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 可以与各种主流PCB设计工具和制造工艺兼容。
    - 支持和维护: Infineon Technologies提供了详尽的技术文档和支持服务,确保客户能够充分利用该产品的性能。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:温度过高导致损坏
    - 解决方案: 加强散热措施,如使用散热片、散热膏等。
    - 问题2:过大的脉冲电流导致损坏
    - 解决方案: 使用合适的电路保护装置,例如熔断器、保险丝等。

    总结和推荐


    总体来看,IPB80N03S4L-02/IPI80N03S4L-03/IPP80N03S4L-03 是一款性能优越的功率晶体管,具有高可靠性和广泛的工作温度范围。适用于需要高效率和高稳定性的应用场景。强烈推荐在相关应用中使用。

IPP80N03S4L03AKSA1参数

参数
Vgs-栅源极电压 16V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 90µA
配置 独立式
Id-连续漏极电流 80A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 9.75nF@25V
栅极电荷 140nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 136W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 2.7mΩ@ 80A,10V
通道数量 1
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

IPP80N03S4L03AKSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPP80N03S4L03AKSA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPP80N03S4L03AKSA1 IPP80N03S4L03AKSA1数据手册

IPP80N03S4L03AKSA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 14.2269
10+ ¥ 10.7663
100+ ¥ 10.5741
500+ ¥ 10.5741
1000+ ¥ 10.5741
库存: 43
起订量: 4 增量: 0
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型号 价格(含增值税)
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