处理中...

首页  >  产品百科  >  IRFR3704ZPBF

IRFR3704ZPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 48W(Tc) 20V 2.55V@ 250µA 14nC@ 4.5 V 1个N沟道 20V 8.4mΩ@ 15A,10V 60A 1.19nF@10V TO-252-3 贴片安装 6.5mm*6.22mm*2.3mm
供应商型号: 1013409
供应商: element14
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFR3704ZPBF

IRFR3704ZPBF概述


    产品简介


    Avalanche MOSFET 技术手册
    本文档旨在提供关于雪崩效应(Avalanche)的一些细节,这些细节往往是被忽视、忽略或者不常见的。本手册不仅涵盖了雪崩机制的基础理论,还讨论了一些相关的测试方法。此外,文档的最后部分重点介绍了重复雪崩效应(Repetitive Avalanche)。

    技术参数


    单脉冲雪崩
    - 定义:单脉冲雪崩是一种可能引发显著雪崩电流和/或能量的孤立事件。
    - 测试条件:
    - 初始电流 (iAS(0)): 100 A
    - 结温 (Tj): 25°C
    - 热特性:
    - Rth1: 1.44 mK/W
    - Cth6: 190 mWs/K
    - 耐受性:
    - 最大允许结温 (Tj,max): 175°C
    - 破坏温度 (Tj,destr): 高于破坏温度时,OptiMOSTM FETs 将停止像半导体一样工作。
    重复雪崩
    - 定义:重复雪崩是指雪崩现象反复出现的情况。
    - 耐受性:
    - 对于重复雪崩,OptiMOSTM 家族的产品具有一定的耐受性,但需要特别注意。

    产品特点和优势


    - 高可靠性:单脉冲雪崩测试确保了产品在极端条件下的耐用性。
    - 一致性:由于紧致的生产分布,不同批次的 MOSFET 具有相似的雪崩特性。
    - 温度适应性:VBR(DSS) 与温度呈单调增加关系,适用于各种温度环境。
    - 热阻低:热阻特性良好,能够在短时间内有效管理热应力。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 通信电源(电信 AC-DC 整流器,DC-DC 模块)
    - 在长寿命应用中,避免电压超过额定值以防止雪崩现象。
    - 电动工具(例如叉车)
    - 虽然通常不会进行电压降额处理,但仍需确保设计能够承受高 VDS 峰值。
    使用建议:
    - 优化设计:对于高能效应用,如服务器电源,应选择具备重复雪崩防护的 MOSFET 产品。
    - 测试验证:通过仿真电路模拟雪崩条件,确保在实际应用中的稳定性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:OptiMOSTM 产品可与多种标准电路板设计兼容。
    - 支持:Infineon 提供详尽的技术支持和文档,帮助工程师理解并应用这些产品。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何确保 MOSFET 不会因雪崩而损坏?
    - 解决办法:严格按照数据手册中的规范操作,确保结温不超过最高允许值。
    问题2:如何计算不同条件下单脉冲雪崩的能量?
    - 解决办法:利用公式和仿真模型,根据实际电路中的电感(Lloop)进行调整。

    总结和推荐


    总体评估:
    - 优点:
    - 高耐雪崩性,保证了在极端条件下的可靠性。
    - 良好的温度适应性和一致性,使产品能在多种环境下稳定运行。
    - 推荐:
    - 推荐用于长寿命和高能效应用,尤其是在雪崩发生频率较高的环境中。
    综上所述,尽管单脉冲和重复雪崩都属于非常规操作条件下的风险因素,但通过严格的设计和操作规范,OptiMOSTM MOSFET 可以在实际应用中展现出卓越的可靠性和性能。

IRFR3704ZPBF参数

参数
最大功率耗散 48W(Tc)
栅极电荷 14nC@ 4.5 V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 20V
Id-连续漏极电流 60A
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.19nF@10V
通道数量 1
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 8.4mΩ@ 15A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.55V@ 250µA
长*宽*高 6.5mm*6.22mm*2.3mm
通用封装 TO-252-3
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRFR3704ZPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFR3704ZPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFR3704ZPBF IRFR3704ZPBF数据手册

IRFR3704ZPBF封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.9716 ¥ 8.1324
10+ $ 0.7885 ¥ 6.5994
100+ $ 0.6397 ¥ 5.3547
500+ $ 0.5449 ¥ 4.5606
1000+ $ 0.4577 ¥ 3.8309
5000+ $ 0.4295 ¥ 3.5948
库存: 0
起订量: 1 增量: 0
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336