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IRFP4227PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 65 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 26M-IRFP4227PBF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFP4227PBF

IRFP4227PBF概述

    IRFP4227PbF HEXFET® Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IRFP4227PbF 是一款采用先进工艺技术的HEXFET® 功率 MOSFET。它具有低输入电容和高速开关能力,适用于 PDP(等离子显示器)维持电路、能量回收和旁路开关应用。这款 MOSFET 在高电流和高温环境下表现出色,提供稳定可靠的操作性能。

    2. 技术参数


    - 额定参数
    - 栅极-源极电压:VGS ≤ ±30V
    - 连续漏极电流(TJ = 25°C):ID ≤ 46A (VGS = 10V)
    - 连续漏极电流(TJ = 100°C):ID ≤ 26A (VGS = 10V)
    - 脉冲漏极电流:IDM ≤ 260A
    - 重复峰值电流(TJ = 100°C):IRP ≤ 130A
    - 功耗(TJ = 25°C):PD ≤ 130W
    - 工作结温范围:TJ = -40°C 到 +175°C
    - 存储温度范围:TSTG = -40°C 到 +175°C
    - 电气特性
    - 击穿电压:BVDSS = 200V
    - 静态漏源电阻(VGS = 10V):RDS(on) = 21mΩ
    - 漏源间雪崩电压:VDS(Avalanche) = 240V
    - 输入电容:Ciss = 4600pF
    - 输出电容:Coss = 460pF
    - 传输电容:Crss = 91pF
    - 热参数
    - 结到外壳热阻:RθJC = 0.45°C/W
    - 外壳到散热器热阻:RθCS = 0.50°C/W
    - 结到环境热阻:RθJA = 62°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 先进工艺技术:采用了先进的制造工艺,提高了性能和可靠性。
    - 关键参数优化:特别优化了用于PDP维持电路、能量回收和旁路开关应用的关键参数。
    - 低EPULSE额定值:降低PDP维持电路、能量回收和旁路开关应用中的功率损耗。
    - 快速响应:低QG使得快速响应成为可能。
    - 高重复峰值电流能力:可靠的运行能力,可在重复操作中保持高性能。
    - 快速开关时间:短的下降时间和上升时间,适合高速开关应用。
    - 高工作结温:175°C的工作结温提供了更强的坚固性。
    - 重复雪崩能力:增强了坚固性和可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    IRFP4227PbF MOSFET 广泛应用于 PDP 维持电路、能量回收和旁路开关。例如,在PDP显示器中,IRFP4227PbF 可以作为维持电路的核心元件,确保显示器的稳定运行。对于能量回收系统,该器件能够高效地处理大电流脉冲,提高系统的能效。
    - 使用建议:
    - 确保良好的散热设计,避免因过热导致的故障。
    - 在使用时需注意不要超过最大额定值,特别是在高温度环境下。
    - 使用合适的栅极驱动器,确保栅极信号的稳定性和快速响应。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:IRFP4227PbF MOSFET 可与其他标准的 TO-247AC 封装的 MOSFET 兼容,适用于多种应用场景。
    - 支持和维护:IR 提供全面的技术文档和支持服务,包括在线帮助和技术支持热线,以确保用户可以顺利使用和维护该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:高温度下频繁出现损坏。
    - 解决方法:增加散热措施,如加装散热片或风扇。
    - 问题 2:开关速度慢。
    - 解决方法:检查并优化栅极驱动电路,确保有足够的驱动能力。
    - 问题 3:频繁出现击穿现象。
    - 解决方法:确认接线正确,避免接线错误导致的过电压。

    7. 总结和推荐


    IRFP4227PbF HEXFET® Power MOSFET 是一款专为高电流和高温应用设计的高性能功率 MOSFET。其先进的工艺技术、优化的关键参数、快速响应能力和高工作结温使它在 PDP 维持电路、能量回收和旁路开关应用中表现出色。因此,强烈推荐使用该产品,尤其在需要高可靠性和高效能的应用场合。

IRFP4227PBF参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.6nF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 25mΩ@ 46A,10V
最大功率耗散 330W(Tc)
栅极电荷 98nC@ 10V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 65A
Vds-漏源极击穿电压 200V
配置 独立式
15.87mm(Max)
5.31mm(Max)
24.99mm(Max)
通用封装 TO-247AC
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IRFP4227PBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFP4227PBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFP4227PBF IRFP4227PBF数据手册

IRFP4227PBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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