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IRFB61N15DPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2.4W(Ta),330W(Tc) 30V 5.5V@ 250µA 140nC@ 10 V 1个N沟道 150V 32mΩ@ 36A,10V 60A 3.47nF@25V TO-220AB 通孔安装 10mm*4.4mm*15.65mm
供应商型号: 8657998
供应商: element14
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFB61N15DPBF

IRFB61N15DPBF概述

    IRFB61N15DPbF SMPS MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IRFB61N15DPbF 是一种高性能的 HEXFET Power MOSFET(高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品主要用于高频直流-直流转换器、电机控制、不间断电源等领域。它具有低门极到漏极电荷,有助于降低开关损耗,以及完全表征的电容特性,便于设计简化。

    2. 技术参数


    | 参数 | 最大值 (Max.) | 单位 | 备注 |
    ||
    | 漏极连续电流 \(ID\) (TC = 25°C) | 60 | A | VGS @ 10V |
    | 漏极连续电流 \(ID\) (TC = 100°C) | 42 | A | VGS @ 10V |
    | 脉冲漏极电流 \(IDM\) | 250 | A
    | 功耗 \(PD\) (@TA = 25°C) | 2.4 | W
    | 功耗 \(PD\) (@TC = 25°C) | 330 | W
    | 门极至源极电压 \(VGS\) | ± 30 | V
    | 峰值二极管恢复 dv/dt | 3.7 | V/ns
    | 工作结温和存储温度 \(TJ, TSTG\) | -55 to +175 | °C
    | 焊接温度 (10秒) | 300 | °C | 1.6mm距离外壳 |
    | 安装扭矩 | 10 lbf·in (1.1N·m) | lbf·in (N·m) | 6-32或M3螺丝 |

    3. 产品特点和优势


    - 低门极到漏极电荷:有助于降低开关损耗。
    - 完全表征的电容特性:包括有效的 \(C{OSS}\),简化了设计(参见应用笔记AN1001)。
    - 完全表征的雪崩电压和电流:确保在高压应用下的可靠性能。
    - 较低的导通电阻 \(R{DS(on)}\):仅为 0.032Ω @ 10V,适用于大电流应用。
    - 宽广的工作温度范围:适合在极端环境中运行。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 高频直流-直流转换器:适用于需要高效率和小体积的应用。
    - 电机控制:提供高效可靠的驱动。
    - 不间断电源:能够处理频繁的电流波动。
    使用建议:
    - 在设计高频电路时,要特别注意电容特性,以避免信号失真。
    - 使用热沉以提高散热效率,特别是在高功率应用中。
    - 考虑使用外部栅极电阻来限制开关速度,以防止过高的dv/dt引起的问题。

    5. 兼容性和支持


    该产品采用标准TO-220AB封装,易于安装在现有的电路板上。厂商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括应用笔记和在线技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关损耗过高 | 优化门极到漏极电荷和电容特性 |
    | 过温保护失败 | 使用更好的热管理措施 |
    | 噪声干扰 | 添加滤波器以减少电磁干扰 |

    7. 总结和推荐


    IRFB61N15DPbF 是一款出色的SMPS MOSFET,以其优异的性能和广泛的应用范围脱颖而出。它特别适合需要高效、高速开关的高功率应用场合。如果你正在寻找一款能够满足这些要求的产品,强烈推荐使用IRFB61N15DPbF。
    该技术手册详细介绍了产品的关键特性和应用场景,使其成为电子工程师和设计师的理想选择。无论是从性能还是可靠性来看,IRFB61N15DPbF 都是市场上的一大亮点。

IRFB61N15DPBF参数

参数
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 150V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5.5V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 32mΩ@ 36A,10V
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.47nF@25V
最大功率耗散 2.4W(Ta),330W(Tc)
栅极电荷 140nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 60A
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
包装方式 散装,管装

IRFB61N15DPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFB61N15DPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFB61N15DPBF IRFB61N15DPBF数据手册

IRFB61N15DPBF封装设计

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