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IPD30N12S3L31ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=120V, 30 A, TO-252封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: UA-IPD30N12S3L31ATMA1
供应商: 海外现货
标准整包数: 2500
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPD30N12S3L31ATMA1

IPD30N12S3L31ATMA1概述

    IPD30N12S3L-31: OptiMOS™-T Power Transistor

    产品简介


    IPD30N12S3L-31 是一款专为汽车应用设计的 OptiMOS™-T 功率 MOSFET。它属于增强型 N 沟道 MOSFET,具有 AEC Q101 认证,适用于汽车电子系统。此外,该产品还具有卓越的电气特性和广泛的温度适应性,使其成为各种工业和汽车应用的理想选择。

    技术参数


    - 连续漏极电流(Tc=25°C,Vgs=10V):30A
    - 连续漏极电流(Tc=100°C,Vgs=10V):20A
    - 脉冲漏极电流:120A
    - 雪崩能量(单脉冲):138mJ
    - 雪崩电流(单脉冲):30A
    - 最大栅源电压:±20V
    - 总功耗(Tc=25°C):57W
    - 操作和存储温度范围:-55°C 到 +175°C
    - 最大漏源电压(Vds):120V
    - 最大漏源导通电阻(Rds(on),max):31mΩ

    产品特点和优势


    1. 适用性强:通过了汽车应用标准 AEC Q101 认证,确保在恶劣环境下仍能稳定工作。
    2. 高性能:具备高耐压能力和低导通电阻,有效提高电路效率。
    3. 耐用性:MSL1 级,峰值回流温度可达 260°C。
    4. 环保合规:RoHS 合规,无有害物质,符合环保要求。
    5. 可靠性高:100% 雪崩测试验证,确保产品的长期可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:IPD30N12S3L-31 在电动汽车充电系统、电机驱动器和电源转换器等场合广泛应用。例如,在电动车充电站中,这款 MOSFET 可以处理高功率的输入输出,保证系统的稳定运行。
    使用建议:
    1. 散热管理:由于高功率特性,需要有效的散热设计,建议使用较大面积的铜箔散热板。
    2. 电压控制:注意保持栅极电压在安全范围内(±20V),避免过电压导致损坏。
    3. 热管理:在高温环境下使用时,应特别关注芯片的温度,以确保不超过最大允许温度(+175°C)。

    兼容性和支持


    兼容性:IPD30N12S3L-31 与主流的 PCB 材料和制造工艺兼容,适用于标准的 SMD 贴装工艺。
    支持信息:Infineon Technologies 提供全面的技术支持和售后服务。客户可以通过官方联系方式获得详尽的产品信息和技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. Q:如何确保产品在高温下的稳定性?
    - A:建议采用高效散热措施,如增大铜箔散热面积,降低工作温度。

    2. Q:栅极电压过高怎么办?
    - A:使用合适的驱动电路,确保栅极电压不超过±20V 的限制。

    3. Q:产品在何种条件下会达到最高性能?
    - A:最佳工作条件为 Tc=25°C,此时漏源导通电阻最小,可以实现最高的效率。

    总结和推荐


    综合评估:IPD30N12S3L-31 是一款高可靠性的功率 MOSFET,具备优异的电气特性和广泛的应用范围。其高耐压能力和低导通电阻使其在电动汽车、工业自动化等领域具有显著的优势。
    推荐使用:对于需要高功率密度和严格温度控制的应用,IPD30N12S3L-31 是一个理想的选择。如果您正在寻找一款耐用且高效的 MOSFET,强烈推荐您考虑这款产品。

IPD30N12S3L31ATMA1参数

参数
Id-连续漏极电流 30A
Rds(On)-漏源导通电阻 31mΩ@ 30A,10V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
最大功率耗散 57W
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.97nF@25V
Vds-漏源极击穿电压 120V
栅极电荷 24nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.4V@ 29µA
长*宽*高 6.5mm*6.22mm*2.3mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IPD30N12S3L31ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPD30N12S3L31ATMA1数据手册

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IPD30N12S3L31ATMA1封装设计

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