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IRF7854PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2.5W(Ta) 20V 4.9V@ 100µA 41nC@ 10 V 1个N沟道 80V 13.4mΩ@ 10A,10V 10A 1.62nF@25V SOIC-8 贴片安装 4.9mm*3.9mm*1.75mm
供应商型号: 1436947RL
供应商: element14
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF7854PBF

IRF7854PBF概述

    IRF7854PbF HEXFET MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    IRF7854PbF是一款高性能的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),主要用于电源转换电路中。它的典型应用包括初级侧开关、桥式或两开关前向拓扑结构的输入电压范围为36V至60V(±10%)的系统,也适用于次级侧同步整流,尤其适合48V非隔离同步降压DC-DC转换器。该器件集成了一个反向p-n结二极管,可以有效减少开关损耗,提高系统效率。

    技术参数


    - 基本规格:
    - 最大栅源电压(VGS):±20V
    - 最大漏源电压(VDS):80V
    - 持续漏电流(ID):10A @ TA = 25°C;7.9A @ TA = 70°C
    - 脉冲漏电流(IDM):无具体值
    - 热阻抗:
    - 结到引脚热阻(RθJL):20°C/W
    - 结到环境热阻(RθJA):50°C/W
    - 静态参数(TJ = 25°C):
    - 导通电阻(RDS(on)):11 mΩ至13.4 mΩ
    - 栅阈电压(VGS(th)):3.0 V至4.9 V
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS):≥ 80 V
    - 动态参数(TJ = 25°C):
    - 总栅电荷(Qg):27 nC至41 nC
    - 输入电容(Ciss):1620 pF
    - 输出电容(Coss):1730 pF至230 pF
    - 雪崩特性:
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):mJ量级
    - 雪崩电流(IAR):无具体值

    产品特点和优势


    1. 低栅源电荷:减少开关损耗,提高转换效率。
    2. 全面表征的电容特性:包括有效的输出电容(Coss eff),简化设计。
    3. 完全表征的雪崩电压和电流:确保在极端条件下的可靠运行。

    应用案例和使用建议


    1. 应用案例:IRF7854PbF特别适用于需要高效率和低损耗的系统,例如48V非隔离同步降压DC-DC转换器。
    2. 使用建议:
    - 确保良好的散热设计以避免过热。
    - 使用低内阻的驱动器以减少驱动损耗。

    兼容性和支持


    IRF7854PbF支持SO-8封装,并且与大多数标准驱动器兼容。制造商提供了详细的文档和支持服务,确保用户能够顺利集成和使用该器件。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:过高的漏电流。
    - 解决办法:检查电路设计是否合理,特别是栅极驱动和电路布局。
    2. 问题:工作温度过高。
    - 解决办法:增加散热片或风扇来改善散热。

    总结和推荐


    IRF7854PbF作为一款高性能的功率MOSFET,在电源转换领域具有广泛的应用前景。其出色的电容特性和可靠的雪崩特性使其在高效率和高可靠性要求的场合下表现出色。推荐用于工业级电源转换应用。
    通过以上分析,IRF7854PbF无疑是一款值得考虑的优质电子元器件。

IRF7854PBF参数

参数
Id-连续漏极电流 10A
栅极电荷 41nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.9V@ 100µA
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 13.4mΩ@ 10A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.62nF@25V
最大功率耗散 2.5W(Ta)
Vds-漏源极击穿电压 80V
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
长*宽*高 4.9mm*3.9mm*1.75mm
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRF7854PBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF7854PBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRF7854PBF IRF7854PBF数据手册

IRF7854PBF封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 1.2795 ¥ 10.7093
10+ $ 1.0577 ¥ 8.8529
100+ $ 0.859 ¥ 7.1896
500+ $ 0.7321 ¥ 6.1273
1000+ $ 0.6141 ¥ 5.14
5000+ $ 0.5769 ¥ 4.8288
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