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IRFH8325TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=30 V, 82 A, PQFN 5 x 6封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: UA-IRFH8325TRPBF
供应商: 海外现货
标准整包数: 4000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFH8325TRPBF

IRFH8325TRPBF概述

    HEXFET Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    HEXFET Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种专为高频降压转换器设计的同步MOSFET。其体积小巧,采用PQFN 5x6 mm封装,适用于需要高效热管理的应用场合,例如开关电源、电池充电器和DC-DC转换器等。

    技术参数


    - 封装类型:PQFN 5x6 mm
    - 最大耐压:VDS = 30 V
    - 栅极电压:VGS 最大值 ±20 V
    - 漏源导通电阻:RDS(on) 最大值(@VGS = 10V)5.0 mΩ;(@VGS = 4.5V) 7.2 mΩ
    - 输入电容:Ciss = 2487 pF
    - 输出电容:Coss = 503 pF
    - 栅极电荷:Qg = 15 nC
    - 持续漏电流:ID 最大值 (@Tc(Bottom) = 25°C) 25 A
    - 线性降额因子:0.029 W/°C
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS):30 V
    - 栅极电压 (VGS):±20 V
    - 连续漏电流 (@TA = 25°C): 30 A
    - 脉冲漏电流 (IDM): 17 A
    - 功耗 (@TA = 25°C): 82 W
    - 存储温度范围:-55°C 到 +150°C

    产品特点和优势


    1. 低热阻至PCB:RθJC < 2.3°C/W,确保更好的热消散能力。
    2. 低轮廓:<1.2mm,提供更高的功率密度。
    3. 行业标准引脚布局:与多供应商兼容,方便制造。
    4. 无铅、无溴化物、无卤素:符合RoHS标准,环保友好。
    5. 消费者认证:MSL1等级,可靠性增强。

    应用案例和使用建议


    HEXFET Power MOSFET 在多种高频降压转换器中有广泛应用,如开关电源和DC-DC转换器。为了优化应用效果,建议在使用时:
    - 使用合适的散热片,确保良好的热管理。
    - 根据应用需求选择适当的栅极电阻和驱动电路。
    - 确保负载电流不超过器件的最大额定值。

    兼容性和支持


    HEXFET Power MOSFET 与现有的表面贴装工艺兼容,因此在装配过程中无需特殊工具。此外,国际整流器公司提供可靠的支持和服务,客户可以访问其官方网站获取详细的技术文档和指导。

    常见问题与解决方案


    - 问题:在高电流下出现过温
    - 解决方案:安装额外的散热装置,并确保使用合适的栅极电阻来控制栅极驱动电流。

    - 问题:负载短路引起过电流
    - 解决方案:使用合适的保护电路,如过电流保护(OCP)模块,以避免损坏MOSFET。

    总结和推荐


    HEXFET Power MOSFET 以其出色的热管理和高效的性能在高频降压转换器中表现出色。其低热阻特性使得它成为热管理要求苛刻的应用的理想选择。整体来看,这款MOSFET具有很好的市场竞争力和广泛应用前景,值得推荐用于高频电力电子系统的设计和开发。
    通过上述全面的分析,HEXFET Power MOSFET 在其适用的应用场景中表现出色,是一款高性能的功率MOSFET。如果您需要一款可靠且高效的产品,HEXFET Power MOSFET 将是一个明智的选择。

IRFH8325TRPBF参数

参数
配置 独立式
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.35V@ 50µA
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 21A,82A
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@ 20A,10V
栅极电荷 32nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.487nF@10V
最大功率耗散 3.6W(Ta),54W(Tc)
长*宽*高 6mm*5mm*830μm
通用封装 QFN
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IRFH8325TRPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFH8325TRPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFH8325TRPBF IRFH8325TRPBF数据手册

IRFH8325TRPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
4000+ $ 0.2088 ¥ 1.7493
8000+ $ 0.1963 ¥ 1.6446
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