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IPU80R1K4P7AKMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 32W(Tc) 20V 3.5V@ 700µA 10.05nC@ 10 V 1个N沟道 800V 1.4Ω@ 1.4A,10V 4A 250pF@500V TO-251-3 通孔安装 6.73mm*2.38mm*6.22mm
供应商型号: 2781189
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPU80R1K4P7AKMA1

IPU80R1K4P7AKMA1概述

    800V CoolMOS™ P7 Power Transistor IPU80R1K4P7

    1. 产品简介


    IPU80R1K4P7 是一款采用 TO251-3 封装的 MOSFET,属于 Infineon 的 CoolMOS™ P7 系列。CoolMOS™ P7 系列结合了顶尖的性能和易于使用的特性,旨在实现最高水平的超级结技术。它特别适用于硬开关和软开关反激拓扑结构,广泛应用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、音频设备、AUX 电源以及工业电源等领域。此外,它也适用于消费类应用和太阳能系统的功率因数校正(PFC)阶段。

    2. 技术参数


    以下是 IPAK MOSFET IPU80R1K4P7 的关键技术和性能参数:
    - 最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \):800 V
    - 连续漏极电流 \( ID \):4 A
    - 脉冲漏极电流 \( I{D,pulse} \):8.9 A
    - 反复雪崩能量 \( E{AR} \):0.07 mJ
    - 雪崩电流 \( I{AR} \):0.6 A
    - dv/dt 抗扰度:100 V/ns
    - 最大耗散功率 \( P{tot} \):32 W
    - 静态特性
    - 击穿电压 \( V{(BR)DSS} \):800 V
    - 门限电压 \( V{GS(th)} \):2.5 V 至 3.5 V
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):最大 1.4 Ω
    - 输入电容 \( C{iss} \):最大 250 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \):最大 6.5 pF
    - 输出电荷 \( Qg \):10 nC
    - 动态特性
    - 开启延迟时间 \( t{d(on)} \):10 ns
    - 上升时间 \( tr \):8 ns
    - 关断延迟时间 \( t{d(off)} \):40 ns
    - 下降时间 \( tf \):20 ns
    - 热特性
    - 结-壳热阻 \( R{thJC} \):3.9 °C/W
    - 结-环境热阻 \( R{thJA} \):62 °C/W

    3. 产品特点和优势


    - 性能卓越:具有行业领先的 RDS(on) Eoss 参数,低 Qg 和 Ciss/Coss。
    - 高可靠性:最佳栅极阈值电压和最小的阈值电压变化,集成的 Zener 二极管 ESD 保护。
    - 设计灵活性:易于驱动和并联,适合高效的设计。
    - 生产优势:减少 ESD 相关故障,提高生产良率。
    - 易用性:简化选择合适部件进行设计微调。

    4. 应用案例和使用建议


    - LED 照明:适用于硬开关和软开关反激拓扑结构。
    - 充电器和适配器:适用于低功耗设备。
    - 音频设备:具有高效率和低损耗。
    - 太阳能系统:适用于 PFC 阶段。
    使用建议:
    - 在并联 MOSFET 时,推荐使用铁氧体磁珠或独立的双极组合。
    - 确保良好的散热设计以避免热失控。

    5. 兼容性和支持


    - 封装类型:PG-TO251-3,适用于波峰焊接,最大焊接温度为 260°C。
    - 技术支持:Infineon 提供相关文档和工具,可在其官网获取更多信息。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:如何选择合适的驱动电阻?
    - A:根据具体的应用需求和频率选择适当的驱动电阻。

    - Q:如何处理并联 MOSFET 的热稳定性?
    - A:使用合适的散热措施,并确保每颗 MOSFET 的驱动一致。

    7. 总结和推荐


    IPU80R1K4P7 是一款高性能的 MOSFET,具有高可靠性、易于驱动和并联等特点。适用于多种应用场景,尤其是需要高功率密度的设计。由于其优秀的性能和丰富的特性,强烈推荐在需要高可靠性的应用中使用此产品。

IPU80R1K4P7AKMA1参数

参数
栅极电荷 10.05nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 700µA
通道数量 1
Id-连续漏极电流 4A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 250pF@500V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.4Ω@ 1.4A,10V
最大功率耗散 32W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 800V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
长*宽*高 6.73mm*2.38mm*6.22mm
通用封装 TO-251-3
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

IPU80R1K4P7AKMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPU80R1K4P7AKMA1数据手册

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IPU80R1K4P7AKMA1封装设计

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500+ ¥ 3.9547
1000+ ¥ 3.8828
5000+ ¥ 3.8828
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