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BSB165N15NZ3G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2.8W(Ta),78W(Tc) 20V 4V@ 110µA 35nC@ 10 V 1个N沟道 150V 16.5mΩ@ 30A,10V 45A 2.8nF@75V MG-WDSON-2-9 直接安装,贴片安装 6.35mm*5.05mm*700μm
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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) BSB165N15NZ3G

BSB165N15NZ3G概述

    OptiMOS™ BSB165N15NZ3 G n-Channel Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    OptiMOS™ BSB165N15NZ3 G 是一款高密度功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为最高功率密度和能源效率而设计。这款产品属于150V系列,适用于电压调节器解决方案、太阳能逆变器、电机驱动、数据中心及通信设备等应用。其低导通电阻和快速开关性能使其成为提高电源管理效率的理想选择。

    2. 技术参数


    - 关键性能参数
    - 最大耐压:150V
    - 最大漏源导通电阻:16.5 mΩ
    - 最大连续漏极电流:45 A(VGS=10V,TC=25°C)
    - 门源电容:2100–2800 pF
    - 门栅电荷:26 nC
    - 反向恢复时间:110 ns
    - 反向恢复电荷:337 nC
    - 最大额定值
    - 持续漏极电流:45 A
    - 脉冲漏极电流:180 A
    - 雪崩能量:440 mJ
    - 工作温度范围:-40°C 至 150°C
    - 热特性
    - 结到外壳热阻:1.6 K/W
    - 结到环境热阻:45 K/W

    3. 产品特点和优势


    - 高效节能:超低的门电荷和输出电荷,结合最低的导通电阻,在小封装内实现了高性能。
    - 高可靠性:无铅镀层,符合RoHS标准;卤素自由材料,满足环保要求。
    - 易于设计:同步整流和低EMI(电磁干扰)特性使其易于集成到现有设计中。
    - 优化散热:双面冷却,适用于DirectFET® MZ封装,实现更优的散热效果。
    - 低寄生电感:减少电路中的寄生电感,降低损耗。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 同步整流
    - 主侧开关
    - 高性能计算的电源管理
    - 高功率密度点负载转换器
    - 使用建议:
    - 确保在散热设计上给予足够重视,以避免过热导致的损坏。
    - 使用双面冷却方法来提高散热效果。
    - 在设计时考虑降低寄生电感,如优化走线布局。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:兼容DirectFET® MZ封装的引脚定义和外形尺寸。
    - 支持:Infineon Technologies 提供详尽的技术文档和支持服务,可通过其官方网站获取更多信息。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何测量漏源导通电阻?
    - 解答:使用万用表或专用测试设备测量。确保在规定的测试条件下进行测量,如VGS=10V,ID=30A。
    - 问题2:如何避免过热问题?
    - 解答:合理设计散热路径,采用双面冷却技术,并确保在适当的温度范围内使用。可以参考数据手册中的热阻参数进行计算和设计。

    7. 总结和推荐


    OptiMOS™ BSB165N15NZ3 G 是一款高效、可靠的功率 MOSFET,具有优秀的开关特性和低导通电阻。适合应用于高功率密度和能源效率要求较高的场合。强烈推荐用于高可靠性的电源管理系统中。如果你正在寻找一种能够显著提升电源效率且易于集成的解决方案,那么OptiMOS™ BSB165N15NZ3 G 将是一个不错的选择。

BSB165N15NZ3G参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.8nF@75V
配置 独立式
Id-连续漏极电流 45A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 110µA
Vds-漏源极击穿电压 150V
栅极电荷 35nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 16.5mΩ@ 30A,10V
最大功率耗散 2.8W(Ta),78W(Tc)
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 6.35mm*5.05mm*700μm
通用封装 MG-WDSON-2-9
安装方式 直接安装,贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

BSB165N15NZ3G厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BSB165N15NZ3G数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES BSB165N15NZ3G BSB165N15NZ3G数据手册

BSB165N15NZ3G封装设计

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