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IRFB3307ZGPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 230W(Tc) 20V 4V@ 150µA 110nC@ 10 V 1个N沟道 75V 5.8mΩ@ 75A,10V 84A 4.75nF@50V TO-220AB 通孔安装 10mm*4.4mm*15.65mm
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供应商:
标准整包数: 0
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFB3307ZGPBF

IRFB3307ZGPBF概述


    产品简介


    产品名称: IRFB3307ZGPbF
    产品类型: HEXFET® 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)
    主要功能:
    - 高效率同步整流
    - 在 SMPS(开关模式电源)中的高效应用
    - 不间断电源系统
    - 高速功率开关
    - 硬开关和高频电路中的应用
    应用领域:
    - 适用于高效率同步整流
    - 不间断电源系统
    - 高速功率开关的应用
    - 硬开关和高频电路

    技术参数


    - 额定电压 (VDSS): 75V
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(on)):
    - 典型值: 4.6 mΩ
    - 最大值: 5.8 mΩ
    - 连续漏电流 (ID):
    - TC = 25°C 下: 128A (硅限制)
    - TC = 100°C 下: 90A (硅限制)
    - 脉冲漏电流 (IDM):
    - 最大值: 120A
    - 最大耗散功率 (PD):
    - TC = 25°C 下: 96.2W
    - 线性降额因子: 1.5 W/°C
    - 门限电压 (VGS):
    - 最大值: ±20V
    - 瞬态二极管恢复峰值 (dv/dt):
    - 最大值: 10V/ns
    - 工作温度范围 (TJ):
    - -55°C 至 +175°C
    - 焊接温度:
    - 对于 10 秒: 最大值 ± 20°C (距离外壳 1.6mm 处)
    - 安装扭矩:
    - 6-32 或 M3 螺丝: 1.5 lbf·in (1.1N·m)
    - 雪崩特性:
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 300mJ (热限制)
    - 雪崩电流 (IAR): 230A
    - 重复雪崩能量 (EAR): 6.7mJ
    - 热阻抗:
    - 结至外壳 (RθJC): 0.65 °C/W
    - 外壳至散热片 (RθCS): 0.50 °C/W (平坦涂油表面,TO-220 封装)
    - 结至环境 (RθJA): 62 °C/W

    产品特点和优势


    - 改善的门限、雪崩和动态 dv/dt 耐久性
    - 完全表征的电容和雪崩安全操作区域 (SOA)
    - 增强的体二极管 dv/dt 和 di/dt 能力
    - 无铅、无卤素
    这些特点使 IRFB3307ZGPbF 成为高性能功率管理应用的理想选择,具有较高的可靠性和较低的功耗。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - SMPS 中的高效率同步整流
    - 不间断电源系统
    - 高速功率开关
    使用建议
    - 选择合适的散热方案:由于较高的连续电流和功率消耗,确保良好的散热设计以避免过热。
    - 注意门限电压设置:确保门限电压在推荐范围内,以保持最佳性能。
    - 电路布局优化:在 PCB 设计时,尽量减少寄生电感和电阻的影响,特别是在高频率应用中。

    兼容性和支持


    - 兼容性: IRFB3307ZGPbF 适用于广泛的电路应用,尤其是需要高效率同步整流和快速开关的场合。
    - 支持和维护: 厂商提供详细的技术文档和支持,包括产品数据手册、应用笔记和技术支持服务。有关详细信息,请访问官网 www.irf.com 获取联系信息。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 过高的工作温度导致热失控。
    - 解决方案: 确保使用有效的散热机制,并定期检查散热器的状态。

    - 问题2: 高频开关下性能下降。
    - 解决方案: 优化电路布局,减少寄生电感和电阻,确保最佳的信号完整性。

    总结和推荐


    综上所述,IRFB3307ZGPbF 是一款适用于高效率同步整流、高速功率开关和高频电路应用的高性能功率 MOSFET。它具备出色的耐久性和可靠性,特别适合工业级应用。尽管初期成本可能较高,但考虑到其卓越的性能和长期稳定性,我们强烈推荐使用这款产品。

IRFB3307ZGPBF参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 75V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 150µA
Rds(On)-漏源导通电阻 5.8mΩ@ 75A,10V
栅极电荷 110nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.75nF@50V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 84A
最大功率耗散 230W(Tc)
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRFB3307ZGPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFB3307ZGPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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IRFB3307ZGPBF封装设计

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