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IPP039N04LGXKSA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS 3系列, Vds=40 V, 80 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: UA-IPP039N04LGXKSA1
供应商: 海外现货
标准整包数: 50
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPP039N04LGXKSA1

IPP039N04LGXKSA1概述


    产品简介


    OptiMOS™3 Power-Transistor(IPB039N04L G 和 IPP039N04L G)
    OptiMOS™3 Power-Transistor 是一款高效的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),专为开关电源模块(SMPS)和直流/直流转换器设计。其核心特性在于能够实现快速开关操作,同时保持低导通电阻(RDS(on))。该系列型号分为PG-TO220-3和PG-TO263-3两种封装,适用于广泛的电力电子应用,如通信设备、汽车电子系统、工业控制等。

    技术参数


    以下是IPB039N04L G和IPP039N04L G的主要技术参数:
    - 最大连续漏极电流(ID):
    - VGS=10 V,TC=25°C:80 A
    - VGS=10 V,TC=100°C:80 A
    - VGS=4.5 V,TC=25°C:80 A
    - VGS=4.5 V,TC=100°C:73 A
    - 脉冲漏极电流(ID,pulse):
    - TC=25°C:400 A
    - 雪崩电流(IAS):
    - TC=25°C:80 A
    - 雪崩能量(EAS):
    - ID=80 A,RG=25 Ω:60 mJ
    - 栅源电压(VGS):
    - ±20 V
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS):
    - VGS=0 V,ID=1 mA:40 V
    - 零栅电压漏极电流(IDSS):
    - VDS=40 V,VGS=0 V,Tj=25°C:0.1 μA(最小值)至1 μA(最大值)
    - VDS=40 V,VGS=0 V,Tj=125°C:10 μA(最小值)至100 μA(最大值)
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - VGS=4.5 V,ID=80 A:4.2 mΩ(最小值)至5.2 mΩ(最大值)
    - VGS=10 V,ID=80 A:3.1 mΩ(最小值)至3.9 mΩ(最大值)
    - 门电阻(RG):
    - 1.6 Ω
    - 热阻(RthJC):
    - 1.6 K/W
    - 热阻抗(RthJA):
    - 最小散热面积:62 K/W(最小散热面积为6 cm²)
    - 40 mm x 40 mm x 1.5 mm 环氧树脂PCB FR4板,散热面积为6 cm²(一层铜,厚度70 μm)

    产品特点和优势


    1. 快速开关: OptiMOS™3 Power-Transistor 提供非常快的开关速度,特别适合高频应用。
    2. 低导通电阻: RDS(on) 仅为几毫欧姆,确保低损耗,提高能效。
    3. 高可靠性: 100% 雪崩测试保证了产品的耐用性和可靠性。
    4. 环保材料: 使用无铅镀层,符合RoHS标准,且不含卤素。
    5. 宽温度范围: 工作温度范围从-55°C到175°C,适用于各种极端环境。

    应用案例和使用建议


    OptiMOS™3 Power-Transistor 广泛应用于开关电源模块、直流/直流转换器等领域。例如,在通信设备中,用于功率转换以提高效率;在电动汽车充电站中,用于电源管理和分配。
    使用建议:
    1. 考虑热管理: 在使用过程中要注意散热问题,特别是在高温环境下。合理设计散热器,确保良好的空气流通。
    2. 选择合适的驱动电压: 由于不同电压下的导通电阻变化,应根据具体应用需求选择最佳驱动电压。

    兼容性和支持


    OptiMOS™3 Power-Transistor 可与其他标准电源组件配合使用,具有较好的兼容性。Infineon Technologies 提供详尽的技术文档和支持服务,用户可通过官方网站获取更多资源和技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关过程中的高温导致设备故障。
    - 解决方法: 检查散热设计是否合理,适当增加散热器面积或改善空气流通条件。
    2. 问题: 导通电阻异常增大。
    - 解决方法: 检查驱动电压是否正确设置,确保在最优范围内操作。

    总结和推荐


    OptiMOS™3 Power-Transistor IPB039N04L G 和 IPP039N04L G凭借其出色的性能参数和广泛应用领域,成为电力电子领域的优质选择。特别是其卓越的导通电阻和快速开关能力,使其在高频应用中表现出色。结合Infineon Technologies提供的全面技术支持,这款产品值得在各类电力转换和管理应用中广泛采用。强烈推荐给需要高效、可靠的电力转换解决方案的设计工程师。

IPP039N04LGXKSA1参数

参数
Id-连续漏极电流 80A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 45µA
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.1nF@25V
栅极电荷 78nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 40V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3.9mΩ@ 80A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
最大功率耗散 94W(Tc)
长*宽*高 10.36mm(长度)*15.95mm(高度)
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 管装

IPP039N04LGXKSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPP039N04LGXKSA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPP039N04LGXKSA1 IPP039N04LGXKSA1数据手册

IPP039N04LGXKSA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
500+ $ 0.6388 ¥ 5.3527
850+ $ 0.62 ¥ 5.1956
2200+ $ 0.59 ¥ 4.9442
库存: 2006
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最小起订量为:500
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型号 价格(含增值税)
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