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BSC16DN25NS3GATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 62.5W(Tc) 20V 4V@ 32µA 11.4nC@ 10 V 1个N沟道 250V 165mΩ@ 5.5A,10V 10.9A 920pF@100V SON 贴片安装
供应商型号: 2480748
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) BSC16DN25NS3GATMA1

BSC16DN25NS3GATMA1概述

    BSC16DN25NS3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor 技术手册

    产品简介


    BSC16DN25NS3 G 是一款OptiMOSTM3系列的N沟道场效应晶体管(Power-Transistor),专门设计用于直流到直流转换(dc-dc conversion)。此款晶体管在工业控制、电源管理、汽车电子及通信设备等多个领域有着广泛的应用前景。其主要特性包括低导通电阻、高热稳定性以及符合RoHS和Halogen-free标准。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 漏极连续电流 (T C=25 °C): 10.9 A
    - 漏极脉冲电流 (T C=25 °C): 44 A
    - 雪崩能量 (EAS, I D=5.5 A, R GS=25 W): 120 mJ
    - 门源电压 (V GS): ±20 V
    - 功率耗散 (T C=25 °C): 62.5 W
    - 工作和存储温度范围 (T j, T stg): -55 … 150 °C
    - 电气特性
    - 穿透电压 (V(BR)DSS): 250 V
    - 门限电压 (V GS(th)): 2-4 V
    - 导通电阻 (R DS(on)): 146-165 mΩ
    - 输入电容 (C iss): 690-920 pF
    - 输出电容 (C oss): 44-59 pF
    - 反向转移电容 (C rss): 5.2 pF
    - 开启延迟时间 (t d(on)): 6 ns
    - 关闭延迟时间 (t d(off)): 11 ns
    - 热特性
    - 结至外壳热阻 (R thJC): 2 K/W
    - 结至环境热阻 (R thJA): 50 K/W (需外加散热面积为6 cm²)

    产品特点和优势


    BSC16DN25NS3 G 的显著特点包括低导通电阻(R DS(on))和优异的门电荷×R DS(on) 乘积(FOM),使其在高效能电力转换中表现出色。此外,它还具备高温运行能力(高达150 °C),符合环保要求(RoHS和Halogen-free),并在目标应用中经过JEDEC认证。这些特性使得BSC16DN25NS3 G 在高功率密度应用中具有明显的优势。

    应用案例和使用建议


    BSC16DN25NS3 G 适用于多种需要高效转换的应用场合,如开关电源、电机驱动和LED照明等。为了确保最佳性能,在使用过程中建议注意散热管理,避免过热情况的发生。特别是在大电流应用中,需要确保电路设计合理并提供足够的散热措施以维持设备的稳定运行。

    兼容性和支持


    BSC16DN25NS3 G 与现有的大多数直流到直流转换电路具有良好的兼容性。Infineon Technologies AG提供了详尽的技术支持和售后服务,客户可通过官网联系最近的办事处获取更多帮助和技术文档。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何处理过高的热阻?
    - 解决方案:增加外部散热器的面积或采用主动冷却方式,如风扇或散热片。

    2. 问题:如何提高电路效率?
    - 解决方案:选择合适的外围组件,如低电感电容和快速恢复二极管,减少寄生损耗。

    总结和推荐


    综上所述,BSC16DN25NS3 G 以其高效的性能、良好的热稳定性及环保特性,在电力电子领域展现出强大的竞争力。对于需要高性能、高可靠性的应用场合,我们强烈推荐使用此款晶体管。尽管价格稍高于同类产品,但其卓越的表现无疑将为您带来更高的投资回报率。

BSC16DN25NS3GATMA1参数

参数
通道数量 -
最大功率耗散 62.5W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 32µA
配置 -
Id-连续漏极电流 10.9A
Vds-漏源极击穿电压 250V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 11.4nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 165mΩ@ 5.5A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 920pF@100V
通用封装 SON
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

BSC16DN25NS3GATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BSC16DN25NS3GATMA1数据手册

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BSC16DN25NS3GATMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 7.9741
50+ ¥ 7.1448
250+ ¥ 7.0172
1000+ ¥ 6.8896
3000+ ¥ 6.8896
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