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IPD80R1K4P7ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 CoolMOS P7系列, Vds=800 V, 4 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 2750414
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPD80R1K4P7ATMA1

IPD80R1K4P7ATMA1概述


    产品简介


    IPD80R1K4P7 是一款采用CoolMOS™ P7技术的800V功率MOSFET器件,专为高电压和高性能应用设计。这种MOSFET在超级结技术上实现了最佳的性能与易用性结合,能够广泛应用于LED照明、低功耗充电器和适配器、音频设备、工业电源以及消费类电子产品中的PFC阶段和太阳能逆变器等领域。

    技术参数


    - 最大漏源击穿电压:800V(V(BR)DSS)
    - 漏源导通电阻:最大值1.4Ω(RDS(on),max)
    - 栅源阈值电压:典型值3V(VGS(th),typ),范围2.5至3.5V
    - 总栅电荷:典型值10nC(Qg,typ)
    - 连续漏极电流:最大值4A(ID)
    - 输出电容:典型值6.5pF(Coss)

    产品特点和优势


    - 最佳的性能:在同类产品中具有最低的RDS(on)Eoss,同时减少Qg、Ciss和Coss。
    - 易于并联:通过降低ESD相关的故障提高了生产良率。
    - 更高的功率密度:使得设计更加紧凑且成本更低。
    - 简单的选择和配置:使得针对具体应用的设计更加简便。

    应用案例和使用建议


    IPD80R1K4P7 MOSFET适用于硬开关和软开关拓扑结构,特别是在低功率充电器和适配器中表现尤为突出。在设计多片并联时,推荐使用扼流圈或者独立的推拉电路来避免热失控问题。用户在使用时应确保设计电路具有良好的散热能力,特别是在高温环境下使用时需要注意额定值限制。

    兼容性和支持


    该器件通过JEDEC认证适用于工业应用。如果需要并联使用多个IPD80R1K4P7,建议使用铁氧体磁珠或独立推拉电路以提高可靠性。Infineon提供了丰富的设计工具和资源,帮助客户优化其设计方案。

    常见问题与解决方案


    - 问题:在多片并联时出现过热现象
    - 解决方案:使用铁氧体磁珠或者独立推拉电路来控制热分布,确保每个器件均匀发热。

    - 问题:在高压环境下的噪声干扰
    - 解决方案:增加外部滤波器以减少电磁干扰,并保证良好的接地处理。

    总结和推荐


    总体而言,IPD80R1K4P7是一款非常出色的MOSFET器件,适合多种应用场景,特别是在高效率需求的场合下。其优越的性能、简单的设计集成以及较高的可靠性使其成为市场上的优选之一。强烈推荐在要求严格的电源转换和驱动应用中使用这款器件。

IPD80R1K4P7ATMA1参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 250pF@500V
Id-连续漏极电流 4A
栅极电荷 10nC@ 10 V
最大功率耗散 32W(Tc)
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 800V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 700µA
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.4Ω@ 1.4A,10V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 6.5mm*6.22mm*2.3mm
通用封装 TO-252-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IPD80R1K4P7ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPD80R1K4P7ATMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1数据手册

IPD80R1K4P7ATMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 4.7565
10+ ¥ 3.6034
100+ ¥ 3.2287
500+ ¥ 3.171
1000+ ¥ 3.1134
5000+ ¥ 3.1134
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