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IPD26N06S2L-35

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 68W 20V 2V 10nC@ 10V 1个N沟道 55V 35mΩ@ 10V 621pF@ 25V TO-252-3 贴片安装 6.5mm*6.22mm*2.3mm
供应商型号: CSJ-ST64838669
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPD26N06S2L-35

IPD26N06S2L-35概述

    IPD26N06S2L-35 OptiMOS® Power-Transistor 技术手册

    1. 产品简介


    IPD26N06S2L-35 是一款由 Infineon Technologies 生产的 N 沟道逻辑电平增强型功率 MOSFET(场效应晶体管)。这款 MOSFET 设计用于多种汽车和工业应用,例如电动汽车(EV)、混合动力汽车(HEV)电源管理系统、直流-直流转换器以及各种开关电源设计。其主要功能在于提供低导通电阻(Rds(on)),以实现高效的电流控制和较低的功耗。

    2. 技术参数


    - 最大连续漏极电流(ID):
    - 在 TC=25 °C, V GS=10 V 时为 30 A
    - 在 TC=100 °C, V GS=10 V 时为 22 A
    - 脉冲漏极电流(ID,pulse): 在 TC=25 °C 时为 120 A
    - 雪崩能量(EAS): 在 ID=26 A 时为 80 mJ
    - 栅源电压(VGS): ±20 V
    - 总功率耗散(Ptot): 在 TC=25 °C 时为 68 W
    - 工作和存储温度(Tj, Tstg): -55 ... +175 °C
    - 导通状态漏源电阻(RDS(on)): 最大值为 35 mΩ,在 VGS=10 V 时为 27 mΩ(典型值)
    - 热阻抗(RthJC, RthJA):
    - 结到外壳热阻(RthJC): 2.2 K/W
    - 结到环境热阻(RthJA): 100 K/W(引脚安装版本),75 K/W(表面贴装版本)

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性: 已通过 AEC-Q101 资格认证,适用于汽车应用。
    - 低温特性: 工作温度范围广泛,最高可达 175°C,适合严苛环境下的应用。
    - 高效能: 具有超低的 Rds(on),有助于减少功耗并提高系统效率。
    - 环保设计: 绿色包装,无铅。
    - 高可靠性测试: 100% 雪崩耐受性测试,确保产品的耐用性和稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例: 本产品常用于直流-直流转换器、电动汽车和混合动力汽车的电源管理系统、电机驱动器等。例如,在电动汽车中,它可作为逆变器的一部分,高效地控制电池向电动机供电。
    - 使用建议: 为了充分发挥其优势,需要合理选择散热片和电路板布局,尤其是在高负载条件下。建议进行详细的热模拟以优化散热设计,确保最佳工作性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 该 MOSFET 采用标准 TO252-3 封装,易于与多种电路设计集成。同时,它的引脚布局符合通用标准,方便替换现有的类似产品。
    - 支持和维护: Infineon 提供详细的技术文档和支持,包括在线资源、应用指南和技术支持热线,以便客户顺利使用和维护该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 在高电流条件下,如何有效散热?
    - 解决方案: 采用大面积铜箔散热板,增加热传导面积;保持电路板垂直于空气流动方向,以便更好地利用自然对流。
    - 问题2: 如何确定栅极充电时间?
    - 解决方案: 参考图表中的门极电荷特性,根据负载条件和工作频率计算所需的栅极充电时间和充电电流。

    7. 总结和推荐


    总体来看,IPD26N06S2L-35 OptiMOS® Power-Transistor 是一款高性能、高可靠性的 MOSFET,特别适合于汽车和工业应用中需要高效能和严苛环境适应性的场合。其优异的电气特性、宽泛的工作温度范围和卓越的可靠性使其在市场上具有很强的竞争力。因此,强烈推荐使用此款 MOSFET,特别是在对系统效率和热管理有较高要求的应用场景中。

IPD26N06S2L-35参数

参数
配置 独立式
栅极电荷 10nC@ 10V
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 35mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 621pF@ 25V
最大功率耗散 68W
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 55V
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 6.5mm*6.22mm*2.3mm
通用封装 TO-252-3
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
包装方式 卷带包装

IPD26N06S2L-35厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPD26N06S2L-35数据手册

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IPD26N06S2L-35封装设计

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