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FF8MR12W2M1_B11

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 20mW 20V 5.55V 372nC@ 15V 1.2KV 7.5mΩ(Typ) @ 15V 11nF@ 800V
供应商型号: FF8MR12W2M1_B11
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) FF8MR12W2M1_B11

FF8MR12W2M1_B11概述


    产品简介


    FF8MR12W2M1B11 EasyDUAL 模块
    FF8MR12W2M1B11 是一款集成 CoolSiC™ Trench MOSFET 和 PressFIT/NTC 的高性能电子模块。它适用于高频率开关应用,如 DC/DC 转换器、太阳能系统和不间断电源(UPS)系统。该模块凭借其高电流密度、低电感设计和低开关损耗等特性,成为现代电力转换系统的理想选择。

    技术参数


    最大额定值
    - 漏源电压 (VDSS): 1200 V
    - 漏极连续电流 (ID nom): 150 A (在 175°C, VGS = 15 V)
    - 脉冲漏极电流 (ID pulse): 300 A (由设计验证,tp 受限于 TJmax)
    - 栅源电压 (VGSS): -10 / +20 V
    特性值
    - 最大漏源电阻 (RDS(on)):
    - 在 25°C: 7.50 mΩ
    - 在 125°C: 9.83 mΩ
    - 在 150°C: 11.0 mΩ
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):
    - 在 25°C: 3.45 - 5.55 V
    - 总栅极电荷 (QG): 0.372 µC (在 VGS = -5 V / 15 V, VDS = 800 V)
    - 内部栅极电阻 (RGint): 0.7 Ω
    - 输入电容 (Ciss): 11.0 nF (在 1 MHz, 25°C)
    - 输出电容 (Coss): 0.66 nF (在 1 MHz, 25°C)
    - 反向传输电容 (Crss): 0.084 nF (在 1 MHz, 25°C)
    - 二极管最大电流 (ISD): 48 A (在 175°C, VGS = -5 V)
    - 二极管最大正向电压 (VSD):
    - 在 25°C: 4.60 V
    - 在 125°C: 4.35 V
    - 在 150°C: 4.30 V
    机械特性
    - 集成 NTC 温度传感器
    - PressFIT 接触技术
    - 坚固安装通过内置固定夹

    产品特点和优势


    FF8MR12W2M1B11 模块以其高效能和多功能性脱颖而出。其主要优势包括:
    - 高电流密度:适合高功率应用。
    - 低电感设计:减少寄生电感,提高效率。
    - 低开关损耗:降低能量损耗,提升整体效率。
    - 集成 NTC 温度传感器:提供实时温度监控,确保可靠运行。
    - 坚固耐用的安装结构:内置固定夹,提高稳定性。
    这些特点使其在高频率开关应用中表现卓越,尤其在对可靠性和效率要求较高的场合,如太阳能发电系统和 UPS 系统。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 太阳能发电系统:用于逆变器,实现高效的直流到交流转换。
    2. DC/DC 转换器:适用于工业电源供应系统,提供稳定可靠的电压转换。
    3. 不间断电源系统(UPS):保证电源的持续供应,确保关键设备的正常运行。
    使用建议:
    - 合理布线:减少寄生电感,进一步提高效率。
    - 监控温度:定期检查 NTC 温度传感器,确保模块工作在安全范围内。
    - 正确安装:利用内置固定夹确保安装稳固,防止因震动引起的损坏。

    兼容性和支持


    该模块与其他电子元器件具有良好的兼容性,可以轻松集成到现有系统中。Infineon Technologies 提供全面的技术支持和维护服务,包括设计指南和故障排除建议。如有任何疑问或需要进一步的支持,请联系 Infineon 的技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 模块过热:检查散热系统是否有效,确保模块工作在安全温度范围内。
    2. 电流不稳定:检查负载和电源连接,确认没有接触不良。
    3. 模块不工作:检查所有连接是否正确无误,重启系统后再次测试。
    解决方案:
    1. 检查并改进散热系统:确保模块周围有足够的通风空间,采用适当的冷却方式。
    2. 检查负载和电源连接:确保所有接头牢固可靠,必要时更换受损接头。
    3. 重新连接和检查系统:按照手册指示正确连接各部件,避免接触不良导致的问题。

    总结和推荐


    FF8MR12W2M1B11 模块凭借其出色的性能和可靠性,是一款值得信赖的产品。其在高频率开关应用中的优异表现和广泛的适用范围使其成为多种电力转换系统的首选。建议在设计和选择高效率电力转换系统时优先考虑此模块。

FF8MR12W2M1_B11参数

参数
最大功率耗散 20mW
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7.5mΩ(Typ) @ 15V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5.55V
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 1.2KV
通道数量 -
栅极电荷 372nC@ 15V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 11nF@ 800V

FF8MR12W2M1_B11厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

FF8MR12W2M1_B11数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES FF8MR12W2M1_B11 FF8MR12W2M1_B11数据手册

FF8MR12W2M1_B11封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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10+ ¥ 1770
50+ ¥ 1725
100+ ¥ 1695
库存: 10
起订量: 2 增量: 30
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