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BUZ 30A H

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 SIPMOS系列, Vds=200 V, 21 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚
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标准整包数: 0
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) BUZ 30A H

BUZ 30A H概述

    BUZ 30A H SIPMOS® Power Transistor 技术手册

    1. 产品简介


    BUZ 30A H 是一款N沟道增强模式场效应晶体管(FET),采用PG-TO-220-3封装,符合无铅标准。它具有出色的雪崩耐受能力,适用于多种电力电子应用,如开关电源、电机驱动和照明系统等。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 连续漏极电流(TC = 26°C):21 A
    - 脉冲漏极电流(TC = 25°C):84 A
    - 雪崩电流(受限于Tjmax):21 A
    - 雪崩能量(周期性受限于Tjmax):12 mJ
    - 单脉冲雪崩能量(ID = 21 A, VDD = 50 V, RGS = 25 Ω, L = 1.53 mH, Tj = 25 °C):450 mJ
    - 栅源电压:± 20 V
    - 功率耗散(TC = 25 °C):125 W
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 存储温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 热阻抗(芯片至外壳):≤ 1 K/W
    - 热阻抗(芯片至环境):75 K/W
    - 符合DIN和IEC气候分类标准
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压(VGS = 0 V, ID = 0.25 mA, Tj = 25 °C):200 V
    - 栅阈电压(VGS = VDS, ID = 1 mA):2.1 - 4 V
    - 零栅电压漏极电流(VDS = 200 V, VGS = 0 V, Tj = 25 °C):0.1 - 100 μA
    - 栅源泄漏电流(VGS = 20 V, VDS = 0 V):10 - 100 nA
    - 漏源导通电阻(VGS = 10 V, ID = 13.5 A):0.1 - 0.13 Ω
    - 逆向二极管连续正向电流(TC = 25 °C):21 A
    - 逆向二极管脉冲正向电流(TC = 25 °C):84 A
    - 逆向二极管正向电压(VGS = 0 V, IF = 42 A):1.2 - 1.6 V
    - 逆向恢复时间(VR = 100 V, IF = lS, diF/dt = 100 A/µs):180 ns
    - 逆向恢复电荷(VR = 100 V, IF = lS, diF/dt = 100 A/µs):1.2 μC

    3. 产品特点和优势


    - 雪崩耐受能力强:能够承受高能雪崩电流,适合在恶劣环境中使用。
    - 低导通电阻:在VGS = 10 V, ID = 13.5 A时,导通电阻仅为0.13 Ω,保证了高效能。
    - 高可靠性:符合严格的电气特性和热管理要求,确保长时间稳定运行。
    - 广泛的工作温度范围:-55°C 至 +150°C,适合各种工业和汽车应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关电源:在DC-DC转换器中作为开关管,可实现高效能和低功耗。
    - 电机驱动:用于电动工具和家用电器中,提供可靠的动力输出。
    - 照明系统:适用于LED驱动器,确保稳定的电流控制和高效率。
    使用建议:
    - 确保良好的散热设计,避免因过热导致的性能下降。
    - 使用适当的栅极驱动电路,以减少开关损耗并提高效率。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:BUZ 30A H 可以轻松集成到现有的电力电子系统中,与多种控制器和传感器兼容。
    - 技术支持:Infineon Technologies 提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户解决使用过程中的任何问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何防止过热?
    - 解决方案:使用外部散热器或风扇加强散热,确保散热路径畅通。
    - 问题2:如何避免栅极振荡?
    - 解决方案:增加栅极电阻以减小寄生电感的影响,并使用合适的栅极驱动电路。

    7. 总结和推荐


    综上所述,BUZ 30A H SIPMOS® Power Transistor 是一款高性能、高可靠性的场效应晶体管,特别适合需要处理高电流和高电压的应用场合。其出色的雪崩耐受能力和低导通电阻使其成为众多电力电子应用的理想选择。强烈推荐此产品用于各类开关电源和电机驱动系统。
    请根据以上内容进行必要的校对和补充,以确保准确性和完整性。

BUZ 30A H参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 130mΩ@ 13.5A,10V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@1mA
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 21A
最大功率耗散 125W(Tc)
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.9nF@25V
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

BUZ 30A H厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BUZ 30A H数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES BUZ 30A H BUZ 30A H数据手册

BUZ 30A H封装设计

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