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IRFHM4231TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2.7W(Ta),29W(Tc) 20V 2.1V@ 35µA 20nC@ 10 V 1个N沟道 25V 3.4mΩ@ 30A,10V 40A 1.27nF@13V QFN 贴片安装 3.3mm*3.3mm*1.05mm
供应商型号: 2577199
供应商: element14
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFHM4231TRPBF

IRFHM4231TRPBF概述

    雪崩击穿(Avalanche)电子元器件产品技术手册

    1. 产品简介


    雪崩击穿电子元器件是一种特殊类型的场效应晶体管(MOSFET),主要用于处理高瞬时电压和电流的场景。这些元器件通常应用于需要承受极端电压条件的应用中,如电信电源(交流-直流整流器、直流-直流砖)或服务器电源单元。此外,它们也广泛用于叉车、电动工具等低电压驱动应用,这些应用对电压偏移的要求不高,但面临较高的电压尖峰。

    2. 技术参数


    以下为雪崩击穿MOSFET的主要技术规格:
    - 额定雪崩电压 (VBR(DSS)): 最小值为60V(在25°C时)。
    - 雪崩电流 (iAS(0)): 初始电流可达100A。
    - 热阻抗 (ZthJC): 每个型号都有相应的热阻抗值,例如IPB072N15N3 G的峰值结温可达210°C。
    - 工作温度范围: 从-55°C到175°C。
    - 失效机制: 包括闩锁现象和热破坏。
    - 100%生产测试: 所有型号均经过生产测试以确保雪崩耐受性。

    3. 产品特点和优势


    独特功能:
    - 严格的生产测试: 所有型号都经过严格的生产测试,确保雪崩耐受性。
    - 高可靠性: 设计上考虑到了长期稳定性和高可靠性。
    - 低电压驱动: 在低电压应用中表现出色,适合短时间运行的设备如叉车和电动工具。
    - 重复雪崩保护: 对于需要承受重复雪崩事件的应用非常适用。
    优势:
    - 零雪崩容限: 即使在极端条件下也能保持良好的性能。
    - 高能效: 能够在高效率要求下运行。
    - 广泛的适用性: 可适用于多种不同的工业标准和服务器电源应用。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电信设备: 用于交流-直流整流器、直流-直流砖。
    - 服务器电源单元: 用于服务器的电源管理系统。
    - 叉车和电动工具: 用于需要承受瞬间高压的应用场合。
    使用建议:
    - 温度管理: 使用外部散热措施以控制结温。
    - 电路设计: 确保电路设计能够承受瞬时电压和电流冲击。
    - 电压降额: 根据应用环境进行适当的电压降额。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 与Infineon的OptiMOSTM 3及后续家族系列MOSFET兼容。
    - 厂商支持: 厂商提供详尽的技术文档和支持服务,包括在线资源和培训课程。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题:
    - 高温度引起的问题: 如何防止雪崩引起的高温问题?
    - 电流控制: 如何控制雪崩事件中的电流?
    解决方案:
    - 高效率冷却: 使用高效的散热器或其他冷却措施。
    - 电流限制: 设计电路时加入电流限制机制以减少雪崩事件的影响。

    7. 总结和推荐


    总结:
    雪崩击穿电子元器件是一种高性能的MOSFET,在恶劣条件下仍能表现出色。其严格的生产测试和高可靠性使其成为工业和服务器电源应用的理想选择。
    推荐:
    鉴于其优异的性能和可靠性,强烈推荐在需要处理高瞬时电压和电流的应用中使用雪崩击穿电子元器件。这些器件在设计时已经充分考虑了各种应用场景,可以有效地提高系统的可靠性和耐用性。

IRFHM4231TRPBF参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 20nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 3.4mΩ@ 30A,10V
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V@ 35µA
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 25V
Id-连续漏极电流 40A
最大功率耗散 2.7W(Ta),29W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.27nF@13V
长*宽*高 3.3mm*3.3mm*1.05mm
通用封装 QFN
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

IRFHM4231TRPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFHM4231TRPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFHM4231TRPBF IRFHM4231TRPBF数据手册

IRFHM4231TRPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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10+ ¥ 4.845
100+ ¥ 3.86
500+ ¥ 3.3
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