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IPW60R299CPFKSA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 96W(Tc) 20V 3.5V@ 440µA 29nC@ 10 V 1个N沟道 600V 299mΩ@ 6.6A,10V 11A 1.1nF@100V TO-247 通孔安装 21.1mm(高度)
供应商型号: Q-IPW60R299CPFKSA1
供应商: 期货订购
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPW60R299CPFKSA1

IPW60R299CPFKSA1概述

    根据您提供的不清晰文本,我将尝试从中提取相关信息并整理成一份关于电子元器件的技术手册内容概述。由于提供的文本大部分是混乱的字符组合,我只能根据一些可能的模式和结构来推断内容。以下是推测的技术手册内容概要:

    产品简介


    该产品为一款高性能电子元器件,主要用于各种电子系统中的关键组件。它具备高效能转换和稳定的工作性能,适用于多个电子设备领域。

    技术参数


    - 工作电压:[具体数值]
    - 额定电流:[具体数值]
    - 最大功率:[具体数值]
    - 工作温度范围:[最低值]到[最高值]摄氏度
    - 电气特性:[具体描述]

    产品特点和优势


    1. 高效率:能够在较宽的电压和电流范围内保持高效率。
    2. 稳定性强:长时间运行下表现出色的稳定性和可靠性。
    3. 兼容性好:易于与其他标准组件配合使用,简化系统设计。

    应用案例和使用建议


    本产品可应用于[具体应用领域],例如在[具体应用场景]中表现出优异性能。使用时应注意[具体使用建议],以确保最佳效果。

    兼容性和支持


    该产品与其他电子元件具有良好的兼容性,厂商提供全面的技术支持和服务,包括[具体支持服务]。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: [常见问题描述]
    - 解决方案: [解决方案描述]
    2. 问题: [常见问题描述]
    - 解决方案: [解决方案描述]

    总结和推荐


    经过综合评估,该产品因其高效率、稳定性及良好的兼容性,在同类产品中表现出色。对于需要高性能电子元器件的应用场合,我们推荐使用此款产品。
    请注意,上述内容是基于假设的文档结构编写的,实际产品和技术手册的内容可能有所不同。如果可以提供更清晰的文档内容,我可以提供更准确的摘要。

IPW60R299CPFKSA1参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 440µA
Id-连续漏极电流 11A
Rds(On)-漏源导通电阻 299mΩ@ 6.6A,10V
栅极电荷 29nC@ 10 V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.1nF@100V
通道数量 -
最大功率耗散 96W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 21.1mm(高度)
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IPW60R299CPFKSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPW60R299CPFKSA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R299CPFKSA1 IPW60R299CPFKSA1数据手册

IPW60R299CPFKSA1封装设计

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