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IRFH8334TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=30 V, 44 A, PQFN 5 x 6封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: C152623
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFH8334TRPBF

IRFH8334TRPBF参数

参数
最大功率耗散 3.2W(Ta),30W(Tc)
Id-连续漏极电流 14A,44A
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@ 20A,10V
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
栅极电荷 15nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.18nF@10V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.35V@ 25µA
Vds-漏源极击穿电压 30V
长*宽*高 6mm*5mm*830μm
通用封装 QFN
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

IRFH8334TRPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFH8334TRPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFH8334TRPBF IRFH8334TRPBF数据手册

IRFH8334TRPBF封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 2.145
10+ ¥ 1.859
30+ ¥ 1.727
100+ ¥ 1.573
500+ ¥ 1.507
1000+ ¥ 1.463
库存: 3685
起订量: 1 增量: 4000
交货地:
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