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BSC093N04LS G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 英飞凌 N沟道增强型MOS管 OptiMOS 3系列, Vds=40 V, 49 A, TDSON封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: Q-BSC093N04LS G
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) BSC093N04LS G

BSC093N04LS G概述

    BSC093N04LS G OptiMOS™3 Power Transistor

    1. 产品简介


    BSC093N04LS G是一款采用OptiMOS™3技术的功率晶体管,主要用于开关电源(SMPS)和直流/直流转换器。它具有出色的电气特性和热特性,适用于需要高性能和高效率的应用场合。

    2. 技术参数


    以下是BSC093N04LS G的主要技术规格和性能参数:
    - 连续漏极电流 (ID)
    - VGS=10 V, TC=25 °C: 49 A
    - VGS=10 V, TC=100 °C: 31 A
    - VGS=4.5 V, TC=25 °C: 40 A
    - VGS=4.5 V, TC=100 °C: 26 A
    - 脉冲漏极电流 (ID,pulse):
    - TC=25 °C: 196 A
    - 雪崩电流 (IAS):
    - TC=25 °C: 40 A
    - 雪崩能量 (EAS):
    - ID=40 A, RGS=25 W: 10 mJ
    - 门源电压 (VGS):
    - ±20 V
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS):
    - VGS=0 V, ID=1 mA: 40 V
    - 零门电压漏极电流 (IDSS):
    - VDS=40 V, VGS=0 V, TJ=25 °C: 0.1 µA ~ 1 µA
    - VDS=40 V, VGS=0 V, TJ=125 °C: 10 µA ~ 100 µA
    - 门源漏电流 (IGSS):
    - VGS=20 V, VDS=0 V: 10 nA ~ 100 nA
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS=4.5 V, ID=20 A: 11.0 mΩ ~ 13.7 mΩ
    - VGS=10 V, ID=40 A: 7.8 mΩ ~ 9.3 mΩ
    - 最大耗散功率 (Ptot):
    - TC=25 °C: 35 W
    - TA=25 °C, RthJA=50 K/W: 2.5 W
    - 操作和存储温度 (Tj, Tstg):
    - -55 °C ~ 150 °C

    3. 产品特点和优势


    BSC093N04LS G的主要特点和优势包括:
    - 快速切换能力:适合用于开关电源和直流/直流转换器,确保系统高效运行。
    - 优化技术:特别设计用于提高DC/DC转换器的性能。
    - 可靠的质量保证:已通过JEDEC标准认证,确保在目标应用中的可靠性。
    - 逻辑电平驱动:方便集成到现有的电路设计中。
    - 低导通电阻 (RDS(on)):显著降低损耗,提升整体能效。
    - 优秀的热阻抗:确保在高温环境下仍能稳定工作。
    - 无卤素材料:符合IEC61249-2-21标准,环保安全。

    4. 应用案例和使用建议


    BSC093N04LS G常用于高效率的开关电源和直流/直流转换器。具体应用场景包括笔记本电脑充电器、通信设备电源和工业控制设备。使用建议如下:
    - 选择合适的散热片:为确保最佳性能,应选择合适的散热片来辅助散热。
    - 避免过压状态:使用时注意不要超过规定的电压限制,以免损坏晶体管。
    - 注意温度管理:由于晶体管在高温下表现不佳,应注意散热,确保工作温度在允许范围内。

    5. 兼容性和支持


    BSC093N04LS G与大多数常见的电路设计兼容,可以与其他电子元件轻松集成。Infineon Technologies提供了详尽的技术支持和维护服务,用户可通过官网联系获取进一步的帮助和支持。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是几个用户可能遇到的问题及解决方案:
    - 问题:晶体管发热过高
    - 解决方案:增加散热措施,例如添加散热片或风扇。
    - 问题:晶体管损坏
    - 解决方案:检查电路设计,确保不超过规定的电压和电流限制。
    - 问题:性能不稳定
    - 解决方案:检查连接线和焊接点,确保所有连接都牢固可靠。

    7. 总结和推荐


    BSC093N04LS G是一款高性能的功率晶体管,具备出色的电气特性和热特性,适用于多种高要求的应用场景。其独特的设计和优势使其在市场上具有很强的竞争力。对于需要高效率和可靠性的应用场合,我们强烈推荐使用此产品。
    希望以上内容能为您提供详细的信息和有价值的参考。如果您有任何疑问或需要更多帮助,请随时联系我们。

BSC093N04LS G参数

参数
栅极电荷 8.6nC@ 4.5V,18nC@ 10V
Rds(On)-漏源导通电阻 9.3mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
配置 独立式
最大功率耗散 2.5W
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.4nF@ 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 5.9mm*5.15mm*1.27mm
通用封装 TDSON-8
安装方式 贴片安装,黏合安装
包装方式 卷带包装

BSC093N04LS G厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BSC093N04LS G数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES BSC093N04LS G BSC093N04LS G数据手册

BSC093N04LS G封装设计

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6000+ ¥ 1.9448
9000+ ¥ 1.87
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