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IPB080N03L G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 47W(Tc) 20V 2.2V@ 250µA 18nC@ 10 V 1个N沟道 30V 8mΩ@ 30A,10V 50A 1.9nF@15V TO-263 贴片安装 10mm*9.25mm*4.4mm
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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB080N03L G

IPB080N03L G概述

    IPP080N03L G/IPB080N03L G 技术手册解析

    1. 产品简介


    IPP080N03L G 和 IPB080N03L G 是由 Infineon Technologies 提供的高性能N沟道逻辑电平场效应晶体管(MOSFET)。它们主要用于开关模式电源(SMPS)和直流/直流转换器中。这些器件具有出色的栅极电荷乘以漏源导通电阻(FOM)和非常低的导通电阻(RDS(on)),使其适用于要求高效率和快速开关的应用场合。

    2. 技术参数


    以下是这些器件的主要技术参数:
    - 连续漏极电流:ID = 50A (VGS=10V, TC=25°C),42A (VGS=10V, TC=100°C)
    - 脉冲漏极电流:IDpulse = 350A (TC=25°C)
    - 雪崩电流:IAS = 50A (TC=25°C)
    - 雪崩能量:EAS = 50mJ (ID=12A, RGs=25Ω)
    - 最大耐压:V(BR)DSS = 30V (VGS=0V, ID=1mA)
    - 零栅源电压漏极电流:IDS = 0.1~1μA (VDS=30V, VGS=0V, TJ=25°C)
    - 导通电阻:RDS(on) = 6.7~8.0mΩ (VGS=10V, ID=30A)
    此外,还有详细的热阻和电容特性,具体如下:
    - 热阻:RthJC = 3.2K/W
    - 电容:Ciss = 1400~1900pF, Coss = 580~770pF, Crss = 29pF
    - 开关电荷:Qg(total) = 8.7nC (VDD=15V, ID=30A, VGS=0~10V)

    3. 产品特点和优势


    - 出色的开关性能:该MOSFET具备低导通电阻和低栅极电荷,适合高速开关应用。
    - 高温稳定性:能在宽广的温度范围内稳定工作,最高可达到175°C。
    - 可靠性高:符合RoHS和Halogen-free标准,提供Pb-Free镀层,确保安全环保。
    - 卓越的散热性能:优化的封装设计有助于提高散热效率,从而增强器件的长期可靠性和稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    这些MOSFET常用于各类电源转换和控制电路中,例如SMPS、DC/DC转换器、逆变器及电机驱动系统。在使用时应注意以下几点:
    - 布局优化:为了最大化热管理效果,应确保良好的PCB布局,尤其是对于高功率应用。
    - 驱动电路设计:由于其较低的栅极阈值电压,合适的栅极驱动电路是必要的,以防止误导通。
    - 散热措施:特别是在高电流和高频率运行条件下,有效的散热方案对于维持稳定工作状态至关重要。

    5. 兼容性和支持


    IPP080N03L G 和 IPB080N03L G 与其他常见的SMPS组件高度兼容,适合集成到现有系统中。Infineon提供详尽的技术文档和支持服务,包括应用指南和模拟工具,帮助用户更好地理解和使用这些器件。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何避免过高的栅极电压?
    A: 使用外部栅极电阻限制驱动电流,或选择具有适当保护功能的驱动IC。
    - Q: 如何减少导通时的热损失?
    A: 改进散热设计,如增加散热片或采用水冷系统,并优化PCB布局以促进热传导。
    - Q: 在高温环境下工作需要注意什么?
    A: 确保系统的整体散热能力足够,可能需要调整工作参数或使用外部冷却机制。

    7. 总结和推荐


    IPP080N03L G 和 IPB080N03L G 是高性能的N沟道逻辑电平MOSFET,具有出色的开关特性和稳定性,特别适合需要高效能和高可靠性电力转换应用的场合。这些器件在市场上表现出色,因其优异的电气特性和广泛的适用性而受到高度评价。强烈推荐在涉及电源管理和转换的设计项目中选用这些器件。

IPB080N03L G参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 250µA
栅极电荷 18nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 50A
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.9nF@15V
配置 独立式
最大功率耗散 47W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 8mΩ@ 30A,10V
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 10mm*9.25mm*4.4mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

IPB080N03L G厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPB080N03L G数据手册

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