处理中...

首页  >  产品百科  >  IPB60R180C7ATMA1

IPB60R180C7ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 600V CoolMOS™ C7系列, Vds=600 V, 13 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: IPB60R180C7ATMA1
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB60R180C7ATMA1

IPB60R180C7ATMA1概述

    IPB60R180C7 MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    IPB60R180C7 是一款600V CoolMOS™ C7功率晶体管,属于超结(Super Junction, SJ)技术家族。这种晶体管特别适用于硬开关和软开关拓扑,如功率因数校正(PFC)和高性能LLC转换器。它广泛应用于服务器、电信、太阳能和其他高功率应用中。CoolMOS™ C7 系列因其卓越的效率和低损耗而被业界公认为高端超级结MOSFET供应商的创新产品。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 漏极持续电流:13A (TC=25°C),8A (TC=100°C)
    - 脉冲漏极电流:45A (TC=25°C)
    - 雪崩能量:单脉冲53mJ,重复脉冲0.26mJ
    - 最大dv/dt 稳健性:120V/ns (VDS=0...400V)
    - 电气特性
    - 击穿电压 V(BR)DSS:600V (VGS=0V, ID=1mA)
    - 开态电阻 RDS(on):最大180mΩ (VGS=10V, ID=5.3A, Tj=25°C)
    - 门极电荷总和 Qg:24nC (VDD=400V, ID=5.3A, VGS=0~10V)
    - 热特性
    - 结至外壳热阻 RthJC:1.832°C/W
    - 结至环境热阻 RthJA:35~45°C/W (具体取决于PCB尺寸和布局)

    3. 产品特点和优势


    - 高效率:CoolMOS™ C7系列以其出色的RDS(on) Eoss 和 RDS(on) Qg 指标显著提高了系统的效率。
    - 快速开关:高达120V/ns 的 dv/dt 稳健性使得其能够在不降低效率的情况下实现更高的开关频率。
    - 紧凑设计:由于其小封装,可以提供更高功率密度的解决方案。
    - 应用广泛:适用于服务器、电信设备、太阳能逆变器等多种高功率应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 典型应用:PFC 阶段和PWM阶段(TTF、LLC)的高功率/高性能开关模式电源(SMPS),例如计算机、服务器、电信、不间断电源(UPS)和太阳能逆变器。
    - 使用建议:当需要并联多个MOSFET时,建议使用铁氧体磁珠或独立的推拉电路以确保稳定运行。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:IPB60R180C7 可以与其他高电压 MOSFET 和标准电路设计兼容。
    - 支持和维护:更多信息和技术支持可参考 Infineon 官方网站(www.infineon.com)上的相关链接。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:MOSFET 在开关过程中过热
    - 解决方案:检查散热系统是否足够高效,或者考虑使用更大散热片以改善散热效果。
    - 问题2:MOSFET 在高频率下开关不稳定
    - 解决方案:确保适当的栅极驱动电路,减少门极电荷 Qg,选择合适的栅极电阻 RG。

    7. 总结和推荐


    IPB60R180C7 MOSFET 凭借其卓越的效率、稳健的高dv/dt 性能和紧凑的设计,在高功率应用中表现出色。无论是服务器、电信还是太阳能逆变器领域,这款产品都是不可或缺的组件。推荐用户在设计高功率应用时考虑使用该产品,特别是在追求高效率和高可靠性的情况下。

IPB60R180C7ATMA1参数

参数
通道数量 -
栅极电荷 24nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 130mΩ@ 5.3A,10V
Id-连续漏极电流 13A
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 600V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.08nF@400V
配置 -
最大功率耗散 68W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 260µA
长*宽*高 10mm*9.25mm*4.4mm
通用封装 TO-263-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IPB60R180C7ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPB60R180C7ATMA1数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1数据手册

IPB60R180C7ATMA1封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 12.299
250+ ¥ 11.9276
500+ ¥ 11.5696
1000+ ¥ 9.7058
5000+ ¥ 9.5123
库存: 785
起订量: 45 增量: 0
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 61.49
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0