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IRLR024NTRL

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 45W(Tc) 2V@ 250µA 15nC@ 5 V 1个N沟道 55V 65mΩ@ 10A,10V 480pF@25V 贴片安装
供应商型号: IRLR024NTRL-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRLR024NTRL

IRLR024NTRL概述

    HEXFET® Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    HEXFET® Power MOSFET 是由International Rectifier公司开发的一种高性能电源管理组件。这款器件采用先进的工艺技术,能够在硅面积上实现最低的导通电阻,从而提高能效。HEXFET® Power MOSFET 包括逻辑级门驱动和表面贴装两种版本(如IRLR024N),还提供直插式封装版本(如IRLU024N)。它以其快速开关速度和坚固耐用的设计而著称,非常适合多种应用场合。

    2. 技术参数


    HEXFET® Power MOSFET 的主要技术参数如下:
    - 热阻
    - RθJC(结至外壳):无,3.3°C/W
    - RθJA(外壳至环境,PCB安装):无,50°C/W
    - RθJA(结至环境):无,110°C/W
    - 功率规格
    - VDSS(漏极-源极电压):55V
    - RDS(on)(静态漏极-源极导通电阻):0.065Ω
    - ID(连续漏极电流):17A
    - IDM(脉冲漏极电流):72A
    - PD(功率耗散):45W
    - 线性降额因子:0.3W/°C
    - 电气特性
    - VGS(栅极-源极电压):±16V
    - EAS(单脉冲雪崩能量):68mJ
    - IAR(雪崩电流):11A
    - EAR(重复雪崩能量):4.5mJ
    - dv/dt(峰值二极管恢复电压率):5.0V/ns
    - 工作温度范围
    - TJ(工作结温):-55到+175°C
    - TSTG(存储温度范围):-55到+175°C

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:利用先进的工艺技术,HEXFET® Power MOSFET 能够在单位硅面积上实现更低的导通电阻,从而提高整体能效。
    - 快速开关:具备极快的开关速度,适合高频应用场合。
    - 全面雪崩评级:支持单脉冲和重复雪崩能量,适合高可靠性需求的应用。

    4. 应用案例和使用建议


    HEXFET® Power MOSFET 广泛应用于各种电源管理电路中,例如DC-DC转换器、电机控制和电池充电电路。为了确保最佳性能,建议在设计电路时考虑以下几点:
    - 合理散热设计:考虑到较高的热阻,需要有效的散热设计来保持正常工作温度。
    - 合适的PCB布局:减小引线电感并确保良好的接地连接,以减少电磁干扰和提高稳定性。

    5. 兼容性和支持


    HEXFET® Power MOSFET 与大多数标准电路板装配工艺兼容,且制造商提供了详尽的应用指南和技术支持。对于特定的安装要求,可以参考应用笔记 AN-994 获取详细信息。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:过高的功率损耗
    - 解决方案:增加外部散热片或改进电路布局,以降低器件的工作温度。
    - 问题2:异常高温
    - 解决方案:检查电路设计是否合理,尤其是散热路径和负载电流。调整电路布局,增加散热措施。
    - 问题3:不稳定的开关行为
    - 解决方案:检查电源电压和门极驱动信号的稳定性,确保没有噪声干扰。适当增加门极电阻,以稳定开关波形。

    7. 总结和推荐


    HEXFET® Power MOSFET 是一款集低导通电阻、快速开关和坚固耐用于一身的高效能电源管理器件。它非常适合多种应用场合,特别是需要高效能和高可靠性的电源管理电路。考虑到其优秀的性能和广泛的应用范围,强烈推荐使用这款产品。

IRLR024NTRL参数

参数
栅极电荷 15nC@ 5 V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 65mΩ@ 10A,10V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 55V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 480pF@25V
最大功率耗散 45W(Tc)
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

IRLR024NTRL厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRLR024NTRL数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRLR024NTRL IRLR024NTRL数据手册

IRLR024NTRL封装设计

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